[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

权利要求书

1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于一可复写式非挥发性存储器模块，其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，该些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元，该存储器管理方法包括：

为每一该些实体抹除单元设定一读取干扰门槛值；

根据该可复写式非挥发性存储器模块的一状态信息，调整一第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及

根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行一预防读取干扰操作，其中根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行该预防读取干扰操作的步骤包括：

从该第一实体抹除单元的一第一实体程序化单元读取一读取数据；

判断从该第一实体程序化单元所读取的该读取数据的错误位元数目是否大于该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值；

倘若从该第一实体程序化单元所读取的该读取数据的错误位元数目大于该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值时，将存储在该第一实体抹除单元的数据复制到该些实体抹除单元之中的一第二实体抹除单元。

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，根据该可复写式非挥发性存储器模块的该状态信息，调整该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值的步骤包括：

记录每一该些实体抹除单元的一抹除计数；以及

当该第一实体抹除单元的该抹除计数从一第一计数值增加为一第二计数值时，将该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值从一第三门槛值调整为一第四门槛值，

其中该第二计数值大于该第一计数值，该第四门槛值大于该第三门槛值。

3.一种存储器管理方法，其特征在于，用于一可复写式非挥发性存储器模块，其中该可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，该些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元，该存储器管理方法包括：

为每一该些实体抹除单元设定一读取干扰门槛值；

根据该可复写式非挥发性存储器模块的一温度，调整一第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及

根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行一预防读取干扰操作，

其特征在于，根据该可复写式非挥发性存储器模块的该温度调整该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值的步骤包括：

当该可复写式非挥发性存储器模块的该温度从一第一温度值增加为一第二温度值时，将该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值从一第五门槛值调整为一第六门槛值，

其中该第二温度值大于该第一温度值，该第六门槛值大于该第五门槛值。

4.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：

一连接接口单元，用以电性连接至一主机系统；

一可复写式非挥发性存储器模块，具有多个实体抹除单元，该些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元；以及

一存储器控制电路单元，电性连接至该连接接口单元与该可复写式非挥发性存储器模块，

其中该存储器控制电路单元用以为每一该些实体抹除单元设定一读取干扰门槛值，

该存储器控制电路单元还用以根据该可复写式非挥发性存储器模块的一状态信息，调整一第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，

该存储器控制电路单元还用以根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行一预防读取干扰操作，其中根据该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，执行该预防读取干扰操作的运作中，

该存储器控制电路单元还用以从该第一实体抹除单元的一第一实体程序化单元读取一读取数据，

该存储器控制电路单元还用以判断从该第一实体程序化单元所读取的该读取数据的错误位元数目是否大于该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值，

倘若从该第一实体程序化单元所读取的该读取数据的错误位元数目大于该第一实体抹除单元的该读取干扰门槛值时，该存储器控制电路单元还用以将存储在该第一实体抹除单元的数据复制到该些实体抹除单元之中的一第二实体抹除单元。