[发明专利]一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，更具体的说，涉及一种新型的太阳能电 池二次印刷正电极网版图形结构。

背景技术

太阳能是清洁的、永不枯竭的、可再生的能源，硅PN结型太阳电池已 发展成为光伏市场主宰。硅PN结太阳电池的制作以硅为衬底，在表面制作 绒面，再扩散制作PN结，然后刻蚀边缘，再利用PECVD镀一层钝化减反射膜， 最后通过丝网印刷烧结技术制作电极。

传统丝网印刷通过单次印刷制备正面电极，电极形貌受到限制，难以 获得理想的高宽比。二次印刷技术通过DP1和DP2两次印刷制备正面电极， DP2印刷的电极累叠在DP1印刷的电极之上，在电极高度总体变高的情况下， 电极宽度也可以细化，从而减少表面遮光面积、提高短路电流Isc、确保串 联电阻Rs和填充因子FF不损失，从而有效提升电池的转换效率。

二次印刷技术已经成为现今提高电池转换效率的有效方法之一，但是 产业化的二次印刷技术依然存在DP2电极与DP1电极发生错位、对位不准的 问题，从而引起电极高宽比下降、遮光面积上升、短路电流下降，最终导 致电池转换效率下降。

网版图形的优化设计对二次印刷对准状态有着重要影响，优化的图形 设计能够使DP2电极完好的累叠在DP1电极之上而不产生错位，因此，如 何进行二次印刷网版图形的设计优化，以提升二次印刷技术在量产过程中 的对准精度，是一个重要的课题。

发明内容

本发明针对上述存在的技术问题，提供了一种新型太阳能电池二次印 刷正面电极，减少了印刷过程中DP2电极与DP1电极发生错位的概率，提 升了二次印刷的对准精度，同时获得性能良好的太阳电池。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构，其特征在于， 包括DP1(二次印刷底层)图形和DP2(二次印刷上层)图形，所述DP1 图形包括副栅线、特征图形以及Mark点，所述DP2图形包括主栅线、副栅 线、Mark点、特征图形以及边框线。

所述DP1图形的副栅线数量为95根以上，副栅线之间相互平行；所述 DP1图形的Mark点为数量多于3个的由浆料印刷而成且位于两根副栅线之 间的实心圆点，且对称分布于以图形表面；所述DP1图形的特征图形有4 处，对称分布于图形的边缘。

所述DP1图形的特征图形是其四根连续排列的副栅线，其中的位于内 侧两根端点不互连，而位于外侧的两根端点互连而形成的特征图形，两端 特征图形相同；所述内侧的两根较短且等长，所述外侧的两根较长且等长。

所述DP2图形的主栅线数量为2根以上，副栅线数量和间距与所述DP1 图形的副栅线数量和间距相同；主栅线与副栅线相互垂直，副栅线之间相 互平行；边框线平行于主栅线，与副栅线垂直连接，且在所述DP2图形的 特征图形处留有缺口；所述DP2图形的Mark点为位于主栅线顶端部分，数 量及位置与DP1图形中的Mark点一致的空心圆点；所述DP2图形的特征 图形的数量及位置与DP1图形的特征图形一致，且与DP1图形的特征图具 有耦合性。

所述DP2图形的特征图形是其与副栅线垂直的边框线在两根较短副栅 线的延长线处断开，所述两根较短的副栅线与所述DP1图形的特征图形中 的两根较短副栅线的长度和位置相同。

所述主栅线具有多段等间距镂空部分构成，镂空部分为浆料印刷区域， 其两端宽度较小并逐渐变宽，副栅线垂直穿过所述主栅线的镂空部分。

所述镂空部分为由一定数量相同大小的圆孔阵列所构成。

本发明技术方案所带来的有益效果如下：

DP1图形和DP2图形都设计了Mark点和特征图形，用于对二次印刷对 准状态进行观察判断和调整优化，大大降低了DP1电极与DP2电极发生位 错的概率，提升了二次印刷技术在量产中的对位精度，减少了遮光面积， 提升了电池的短路电流Isc，从而使太阳电池的综合性能得到提升。另外， 主栅线采用分段式镂空设计，且只在DP2图形中设计了主栅线，在DP1图 形中没有设计主栅线，这样的设计大大降低了正银浆料的使用量，降低了 生产成本。

附图说明

图1是DP1图形的结构图。

图2是DP1图形中Mark点的局部放大图。

图3是DP1图形中特征图形区域的局部放大图。

图4是DP2图形的结构示意图。