[发明专利]一种表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法在审
| 申请号： | 201610149978.3 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105694892A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邹桂征;和玉鹏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 正电荷 cdse 量子 制备 方法 | ||
1.一种表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，包括步骤如下：
(1)将镉盐溶液和巯基乙胺混合，搅拌均匀，脱氧，得镉的前驱体溶液；
(2)将硼氢盐溶液与硒粉混合反应，得硒氢盐溶液；
(3)将镉的前驱体溶液和硒氢盐溶液混合，分散均匀，得CdSe晶核溶液；
(4)调节CdSe晶核溶液pH为5-6，加热回流反应0.5-6h，纯化，干燥，研磨，得表 面带正电荷的CdSe量子点粉末。
2.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (1)中所述的镉盐为氯化镉。
3.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (1)中镉盐与巯基乙胺的摩尔比为1：(1.5-2.5)。
4.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (2)中所述的硼氢盐为硼氢化钾或硼氢化钠，所述的硒氢盐为硒氢化钾或硒氢化钠。
5.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (3)中硒氢盐与步骤(1)中镉盐的摩尔比为(0.05-0.1)：1。
6.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (4)中调节CdSe晶核溶液pH所用试剂为盐酸。
7.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (4)中回流反应温度为98-102℃。
8.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (4)中回流反应时间为3-5h。
9.根据权利要求1所述的表面带正电荷的CdSe量子点的制备方法，其特征在于，步骤 (4)中纯化的方法为：将回流反应后的物料与异丙醇混合后离心分离，得沉淀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610149978.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
