[发明专利]一种用于单晶炉的导流筒

说明书

技术领域

本发明专利涉及单晶炉技术领域，特别是一种用于单晶炉的导流筒。

背景技术

单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入位于埚托之 上的石墨坩埚托内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导 流筒插入溶融多晶硅液中，与坩埚作逆向旋转并向上提升，使多晶硅液按籽晶 的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。

目前单晶炉的导流筒的结构为逐渐减小直径的圆筒状结构，起高温气体导 流的作用，高温气体为氩气流，在氩气流动过程中，不断的从晶体表面带走热 量，因此，氩气流对晶体表面的吹拂对于晶体中的径向和纵向温度分布有着重 要的影响，而温度梯度又对晶体中的杂质状况，原生缺陷的形成以及电阻率和 氧含量的径向分布，有着密切的关系。另外氩气流过溶硅液面，除了与融硅有 对流换热外，还带走挥发的SiO，它在溶硅表面的流动与流速对溶硅表面的流动 图样也有一定影响，通过影响熔体中温度与杂质的分布来影响晶体中杂质的引 入。

但现有的这种结构，因为高温气体在导流筒中流动的速度快，流动阻力小， 所以晶体生长过程中固液界面凹向固体的一侧，如果凹陷过大，就会引起径向 含氧量、电阻率、原生缺陷的起伏过大，使硅片的响应参数均匀性变差。

发明内容

本发明的目的是通过设置分散机构来进行导料，防止积料的发生，提高了 其的实用性能；而发明了一种用于单晶炉的导流筒。

为解决上述的技术问题，本发明提供了一种用于单晶炉的导流筒，其特征 在于：包括

上筒体，所述的上筒体为上宽下窄的棱台体，

下筒体，所述的下筒体连接在上筒体的底部，

第一导流板，所述的第一导流板倾斜设置在上筒体内，所述的第一导流板 的上端连接在上筒体进料口下方的侧壁上，所述的上筒体相对的两侧壁上各连 接有一块第一导流板，

第二导流板，所述的第二导流板位于第一导流板的下方，所述的第二导流 板的下端活动连接在上筒体出料口上方的侧壁上，所述的上筒体相对的两侧壁 上各连接有一块第二导流板，所述的两块第二导流板与上筒体之间还各设置有 一个角度调节装置，

分散机构，所述的分散机构安装在下筒体内，所述的分散机构活动连接在 上筒体出料口的下方。

进一步：所述的角度调节装置包括电动缸和传动杆，所述的电动缸安装在 上筒体的侧壁上，所述的电动缸通过传动杆与第二导流板相连，所述的传动杆 与第二导流板活动连接。

又进一步：所述的第二导流板的上端位于第一导流板的正下方。

再进一步：所述的分散机构包括第二气缸、连杆和第三导流板，所述的上 筒体出料口下方的两侧各活动连接有一块第三导流板，所述的下筒体两侧的侧 壁上各安装有一个第二气缸，所述的两个第二气缸分别通过一根连杆与两块第 三导流板相连，所述的连杆与第三导流板活动连接。

采用上述结构后本发明通过设置分散机构来进行导料，防止积料的发生， 提高了其的实用性能；而且其还具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式