[发明专利]一种单晶炉加压装置在审
申请号: | 201610151566.3 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105734663A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 潘清跃;王平 | 申请(专利权)人: | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213200 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶炉 加压 装置 | ||
技术领域
本发明专利涉及单晶炉技术领域,特别是一种单晶炉加压装置。
背景技术
单晶炉是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必备设备,而单晶硅又是光伏发电和半导体行业中的基础原料。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料,是目前世界上最重要的单晶材料之一,它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料,也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。
在硅单晶拉制过程中需要在高压的环境下进行,但是随着压力的不断增大单晶炉也会产生安全隐患,所以设计一种单晶炉加压装置就显得尤为重要,防止其受到过大的压力而造成自身结构的损坏。
发明内容
本发明的目的是通过设置溢流通道和压力阀来起到自我保护的作用,防止其受到过大的压力而造成自身结构的损坏,减少了不必要的损失;而发明了一种单晶炉加压装置。
为解决上述的技术问题,本发明提供了一种单晶炉加压装置,包括
加压缸体,所述的加压缸体为半封闭式的筒体,
活塞,所述的活塞活动连接在加压缸内,所述的活塞的顶部与气缸的出轴端相连,所述的气缸安装在上支架的底部,
充气管,所述的充气管连接在加压缸体的底部,所述的充气管与加压缸体之间设置有单向阀,
出气管,所述的出气管连接在加压缸体的底部,所述的出气管与加压缸体之间设置有电磁阀,
压力阀,所述的活塞上开设有溢流通道,所述的压力阀安装在溢流通道内。
进一步:所述的充气管上安装有空气过滤器。
又进一步:所述的单向阀包括第一阀筒、第一阀芯、第一弹簧和第一阀盖,所述的第一阀筒的一端开设有进气孔,所述的第一阀盖安装在第一阀筒的另一端内,所述的第一阀芯活动连接在第一阀筒内,所述的第一阀芯通过第一弹簧与第一阀盖相连,所述的第一阀芯在第一弹簧的作用下堵塞在进气孔处。
又进一步:所述的第一阀盖上开设有导向孔,所述的导向孔内活动连接有导向杆,所述的导向杆的一端连接在第一阀芯上。
又进一步:所述的电磁阀包括第二阀筒、第二阀芯、第二弹簧、传动杆、上楔形块、下楔形块和电动缸,所述的第二阀筒的顶部开设有出气孔,所述的第二阀芯活动连接在出气孔的外侧,所述的第二阀芯的底部连接有传动杆所述的传动杆穿过出气孔与上楔形块相连,所述的上楔形块通过滑动机构连接在第二阀筒内的一侧壁上,所述的第二阀筒内的另一侧壁上安装有电动缸,所述的电动缸与下楔形块相连,所述的下楔形块活动连接在上楔形块的楔形面上。
又进一步:所述的滑动机构包括竖直设置在第二阀筒侧壁上的导轨和滑块,所述的上楔形块通过滑块活动连接在轨道上。
又进一步:所述的压力阀包括第三阀筒、第三阀盖、第三阀芯和第三弹簧,所述的第三阀筒安装在溢流通道内,所述的第三阀芯活动连接在第三阀筒的一端内,所述的第三阀盖安装在第三阀筒的另一端上,所述的第三阀芯通过第三弹簧与第三阀盖相连,所述的第三弹簧与第三阀盖之间还设置有挡板,所述的挡板与第三阀盖活动连接,所述的第三阀筒的侧壁上开设有泄流孔,所述的泄流孔通过溢流通道与外界大气相连通。
再进一步:所述的第三阀盖一端的外侧设置有外接螺纹,所述的与第三阀盖相连的第三阀筒的一端内设置有内接螺纹,所述的外接螺纹与内接螺纹相匹配。
采用上述结构后本发明通过设置溢流通道和压力阀来起到自我保护的作用,防止其受到过大的压力而造成自身结构的损坏,减少了不必要的损失;并且本设计还具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明的结构示意图。
图2为压力阀的结构示意图。
图3为单向阀的结构示意图。
图4为电磁阀的结构示意图。
具体实施方式
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