[发明专利]用于在半导体构件的层结构中制造多孔性结构的方法和具有所述多孔性结构元件的MEMS构件有效
| 申请号： | 201610153341.1 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105984841B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | F·舍恩;B·格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 构件 结构 制造 多孔 方法 有所 元件 mems | ||
【说明书】：
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