[发明专利]一种量子点膜及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜包括量子点层，水氧阻隔层，PET阻隔层，和保护层；所述水氧阻隔层包括上水氧阻隔层和下水氧阻隔层；所述PET阻隔层包括上PET阻隔层和下PET阻隔层；所述保护层包括上保护层和下保护层；所述量子点膜依次包括上保护层、上PET阻隔层、上水氧阻隔层、量子点层、下水氧阻隔层、下PET阻隔层和下保护层；所述量子点层包括胶粘剂、硅胶微粒和扩散粒子，所述硅胶微粒中包含量子点颗粒。

2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点层包括下述组份：胶粘剂68-79％，硅胶微粒10-15％，扩散粒子10-15％，光引发剂1-2％；所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-10％；所述百分含量为重量百分含量。

3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述保护层的材料包括下述组份：胶黏剂80-85％，抗粘连粒子15-20％；所述百分含量为重量百分含量。

4.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，在量子点层中，所述胶黏剂选自聚氨酯丙烯酸酯胶水、环氧丙烯酸酯胶水或聚酯丙烯酸酯胶水中的一种；所述扩散粒子选自聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚酯粒子、聚碳酸酯粒子、或二氧化硅粒子中的一种或至少两种的组合。

5.根据权利要求4所述的量子点层，其特征在于，所述硅胶微粒的粒径为1-20μm，扩散粒子的粒径为1-35μm。

6.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述水氧阻隔层为硅氧化物薄膜，所述硅氧化物薄膜由原子层沉积方式制备而成，所述硅氧化物薄膜的厚度为10-20nm。

7.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点层包括下述组份：胶粘剂74-78％，硅胶微粒10-12％，扩散粒子10-12％，光引发剂2％；所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-8％；所述硅胶微粒的粒径为10-20μm，扩散粒子的粒径为10-20μm；所述百分含量为重量百分含量。

8.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述PET阻隔层为透明PET。

9.根据权利要求6所述的量子点膜，其特征在于，所述水氧阻隔层的制备方法包括下述步骤：

(1)采用PET阻隔层作为基底；

(2)采用氯硅烷或氨基硅烷作为前驱体，以O₃为反应源，沉积温度为50-220℃，在PET阻隔层上沉积硅氧化物薄膜。

10.一种制备根据权利要求1所述的量子点膜的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

(1)在PET阻隔层的上表面通过原子层沉积方式制备水氧阻隔层；

(2)在PET阻隔层的下表面涂布抗粘连粒子作为保护层；

(3)在水氧阻隔层上涂布含有硅胶微粒和扩散粒子的胶黏剂，在胶黏剂上方覆盖一层具有有水氧阻隔层和保护层的PET阻隔层，胶黏剂与水氧阻隔层粘结。

(4)通过UV固化，得到量子点膜。