[发明专利]可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法有效
申请号: | 201610154690.5 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105622956B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 张金方;刘宇航;张弛 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C08G83/00 | 分类号: | C08G83/00;C09K11/06 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 探测 苦味酸 发光 晶体 材料 ws sub cu scn tb ina hmpa 制备 方法 | ||
1.可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法,包括以下步骤:
1.1将硫化氢气体通入到钨酸氨水溶液中反应,经抽滤、干燥制得四硫代钨酸铵;
1.2将硫氰酸亚铜和1.1中制得的四硫代钨酸铵加入到六甲基磷酰三胺搅拌数分钟制得溶液;
1.3将异烟酸加入到步骤1.2中制得的溶液中搅拌至全部溶解,得到红色澄清溶液,调节溶液pH;
1.4将六水合硝酸铽的溶液加入步骤1.3中制得的红色溶液中,经过结晶、过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n。
2.根据权利要求1所述的可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法中,其特征在于四硫代钨酸铵、硫氰酸亚铜和异烟酸的摩尔比为1:2~4:2~4。
3.根据权利要求1所述的可探测苦味酸的发光晶体材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制备方法中,其特征在于调节的pH范围为8~10。
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