[发明专利]一种压电单晶片有效

专利信息
申请号: 201610155165.5 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN105655475B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 李全锋;孙涵;崔明焕;付士林;赵雯 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: H01L41/053 分类号: H01L41/053;H01L41/09
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司41107 代理人: 路宽
地址: 453007 河*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 压电 晶片
【说明书】:

技术领域

本发明属于压电元器件技术领域,具体涉及一种压电单晶片。

背景技术

随着纳米科技的快速发展,压电器件的应用日益广泛,而压电单晶片作为压电器件中的重要器件也同样发挥着广泛的用途。现有压电单晶片的工作原理是:压电片在交变驱动信号的作用下,会在长度方向伸长或收缩,而与其粘接在一起的非压电材料支撑体由于没有压电效应,长度保持不变,因此,压电片在非压电材料支撑体的拉力作用下发生弯曲,进而整体结构会在压电片的带动下发生弯曲。

现有的压电单晶片通常采用的是将压电片与非压电材料支撑体最宽面完全粘接的方法,在压电片与非压电材料支撑体之间涂上一定厚度且均匀的粘接层,但是该方法对粘接层的厚度涂覆均匀的工艺要求比较高,存在如下不足之处:(1)很容易由于工艺控制不当而导致粘接层厚度不均匀,进而影响压电器件的性能;(2)粘接层内很容易由于工艺控制不当而产生气泡,从而很有可能产生微弱电信号,引起压电器件失效;(3)如果现有压电单晶片需要压电片与金属粘接在一起,为了避免短路,中间所用的粘接胶必须为绝缘胶,选材受到很大的限制。因此,对于现有的压电单晶片,其制作的工艺还需要有进一步的提高。在项目批准号为:11304082的国家自然科学基金“超快速扫描隧道显微镜的改进与应用”的支持下,本专利提出了一种新型的压电单晶片。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种易于制作、结构稳定性强、适用范围广、成本较低且性能优良的压电单晶片。

本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案,一种压电单晶片,其特征在于包括两个平行设置的底片及设置于两底片之间的压电片和非压电材料支撑体,其中压电片通过胶体垂直固定于两底片之间,该压电片为厚度方向或径向极化的压电片。

进一步优选,所述压电片的材质为单晶材质或多晶材质。

进一步优选,所述底片的材质为蓝宝石、钨、钛或不锈钢。

进一步优选,所述底片的中部设有用于贯穿电极线、通气体或固定辅助装置的中心孔。

进一步优选,所述非压电材料支撑体的材质为金属、陶瓷、玻璃或蓝宝石。

进一步优选,所述非压电材料支撑体通过胶体固定于两底片之间或者非压电材料支撑体与两底片一体成型或者非压电材料支撑体的一侧与底片通过胶体连接,另一侧与另一底片一体成型。

进一步优选,所述胶体为环氧树脂胶、丙烯酸酯胶、α-氰基丙烯酸乙酯胶或氯丁橡胶。

进一步优选,所述非压电材料支撑体的形状为片状、柱状或圆台状。

进一步优选,所述压电片与两底片的接触部位分别设有未涂电极部位。

本发明的工作原理为:当压电片在交变驱动信号的作用下时,将发生伸长或收缩,而非压电材料支撑体的长度不变,如果将压电片和非压电材料支撑体的两端通过底片固定在一起,那么压电片将不能在驱动信号的作用下自由伸长或收缩,而是将在非压电材料支撑体的拉力作用下发生弯曲,实现与现有压电单晶片同样的功能。

本发明与现有技术相比具有以下优点:(1)极大地减少了粘接面积,节省了材料,解决了现有压电单晶片中因粘接层厚度不均匀或有气泡产生而导致压电器件失效的问题,降低了制作工艺的难度;(2)可制作出压电片与非压电材料间任意距离的压电单晶片,而且两底片可以为任意形状,比如在底片的中部设有中心孔以便于贯穿电极线、通气体或固定其它需要的装置等,进而满足特定环境和条件下的需要;(3)可以选用最宽面两端部分没有电极的压电片,直接起到绝缘的作用,与现有的压电单晶片相比,既节约了成本又高效;(4)压电片在自身仍然可以实现弯曲形变的同时,还可驱动其顶端的物体发生位移;(5)非压电材料支撑体可为多种材质;(6)非压电材料支撑体的形状也可为多种形状,可为单薄的片状,也可为厚实牢固的柱状,支撑体也可与其中一个或者两个底片一体成型,再和压电片通过胶体固定,结构多样。总之,本发明的压电单晶片相对于现有压电单晶片制作工艺来说,制作工艺简单,适用范围广,并且成本较低,性能优良。

附图说明

图1是本发明实施例1中压电单晶片的主视图;

图2是本发明实施例1中压电单晶片的侧视图;

图3是本发明实施例1中压电单晶片的俯视图;

图4是本发明实施例2中压电单晶片的主视图;

图5是本发明实施例2中压电单晶片的侧视图;

图6是本发明实施例2中压电单晶片的俯视图;

图7是本发明实施例3中压电单晶片的主视图;

图8是本发明实施例3中压电单晶片的侧视图;

图9是本发明实施例3中压电单晶片的俯视图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南师范大学,未经河南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610155165.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top