[发明专利]一种去除石墨烯的方法在审
申请号: | 201610155520.9 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105719953A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 王炜;谭化兵;刘海滨;秦喜超 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/027;C01B31/04;G03F7/00 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 张秋云 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 石墨 方法 | ||
1.一种去除石墨烯的方法,其特征在于,在特定环境中,采用特定波长的紫外光照射的方式去除石墨烯。
2.根据权利要求1所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述紫外光中,包含有光波长为110nm-196nm的紫外光,所述特定环境中,含有保护气体和反应气体。
3.根据权利要求1-2任一所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在石墨烯薄膜表面制作掩膜层;
2)对掩膜层进行图案化,将需要刻蚀掉石墨烯的部分的掩膜层去除,直接裸露出此部分的石墨烯;
3)在所述特定环境中,用所述光波长的紫外光照射掩膜层,直至需要去除区域的石墨烯被完全去除;
4)去除剩余的掩膜层。
4.根据权利要求3所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中的保护气体为氮气、氩气、氦气中的一种或多种混合。
5.根据权利要求4所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中的反应气体为氧气、氯气、氟气中的一种或多种混合。
6.根据权利要求5所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中保护气体的含量范围为79%-99%,反应气体的含量范围为1%-20%。
7.根据权利要求1-2任一所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将待去除的石墨烯层的待处理面放置在所述特定环境中;
2)在所述特定环境中,用所述光波长的紫外光照射待处理面,直至需要去除区域的石墨烯被完全去除。
8.根据权利要求7所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中的保护气体为氮气、氩气、氦气中的一种或多种混合。
9.根据权利要求8所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中的反应气体为氧气、氯气、氟气中的一种或多种混合。
10.根据权利要求9所述的一种去除石墨烯的方法,其特征在于,所述特定环境中保护气体的含量范围为79%-99%,反应气体的含量范围为1%-20%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造