[发明专利]一种基于富氮分子修饰隔膜制备高性能锂硫电池的方法在审

专利信息
申请号: 201610156713.6 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN107204414A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 张景萍;范朝英;孙海珠 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H01M2/14 分类号: H01M2/14;H01M10/058
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130024 吉林省*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 分子 修饰 隔膜 制备 性能 电池 方法
【权利要求书】:

1.一种富氮分子修饰的锂硫电池隔膜的制备方法,该制备方法包括以下步骤:

(1)将富氮分子与导电剂及粘结剂polyvinylidene fluoride(PVDF)以一定的质量比例充分混合。

(2)加入合适量的分散剂N-methylpyrrolidinone(NMP),继续混合,制成粘度合适的浆料。

(3)将一定量的浆料均匀地涂布在商业的玻璃纤维隔膜的一面。

(4)将涂布好的隔膜放入烘箱,60℃干燥24h除去有机溶剂,得到修饰的隔膜。

(5)将其放入电池的正极和负极之间,涂布面面对着正极。

2.根据权利要求1所述的富氮分子修饰的隔膜的制备方法,其中,所述的富氮分子为类石墨化的氮化碳,聚乙烯亚胺,聚邻苯二胺,三聚氰胺及其齐聚物,吡啶及其衍生物与聚合物,均三嗪及其衍生物,磷腈及其衍生物和聚合物,聚酰亚胺,聚丙烯酰胺等。

3.根据权利要求1所述的富氮分子修饰的隔膜的制备方法,其中,导电剂为乙炔黑,多孔碳,Super P,碳纳米管,碳纳米纤维,石墨烯等。

4.根据权利要求1所述的富氮分子修饰的隔膜的制备方法,其中,富氮分子,导电剂,与PVDF的比例为1:8:1,2:7:1,3:6:1,5:4:1,6:3:1,8:1:1等。

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