[发明专利]一种LED芯片电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201610156747.5 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105591003A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘撰;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 电极 及其 制造 方法 | ||
1.一种LED芯片电极，其特征在于，所述电极包括第一金属粘附层、设于第一金属粘附 层上的第二金属粘附层、设于第二金属粘附层上的金属保护层、以及设于金属保护层上的 金属打线层，所述第二金属粘附层的材料为金属Cr，金属保护层的材料为金属Ti，第二金属 粘附层和金属保护层熔合形成Cr-Ti接触电阻。
2.根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第二金属粘附层的厚度为50- 500?，金属保护层的厚度为1000-3000?。
3.根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第一金属粘附层的材料为Cr 或Ni，厚度为5-150?。
4.根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述打线层的材料为Au或Al，厚度 为10000-20000?。
5.根据权利要求1所述的LED芯片电极，其特征在于，所述第一粘附层和第二金属粘附 层之间还设有金属反射层。
6.根据权利要求5所述的LED芯片电极，其特征在于，所述金属反射层的材料为Al，厚度 为1000-3000?。
7.一种LED芯片电极的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
采用物理气相沉积法依次沉积第一金属粘附层、第二金属粘附层、金属保护层、以及金 属打线层，其中，第二金属粘附层和金属保护层分别采用Cr靶和Cr靶进行沉积；
对第一金属粘附层、第二金属粘附层、金属保护层、以及金属打线层进行熔合工艺，使 第二金属粘附层和金属保护层形成Cr-Ti接触电阻。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述熔合工艺具体为：
在200-250℃温度下、氮气环境中，熔合5-30分钟。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二金属粘附层的厚度为50-500 ?，金属保护层的厚度为1000-3000?。
10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在第一金属粘附层上沉积金属反射层。
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