[发明专利]AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型Al_xGa_1-xN层、n型Al_xGa_1-xN层、i型Al_y1Ga_1-y1N层、n型Al_yGa_1-yN组分渐变层、i型Al_y2Ga_1-y2N层、p型GaN层，在n型Al_xGa_1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y＜y1，其中所述一维光子晶体层拥有19个周期性结构，每一个周期性结构包括SiO₂层、Si₃N₄层、SiO₂层，19个周期性结构包括周期层和抗反射涂层，自下而上一维光子晶体层表示为n个抗反射涂层a*[L/2 H L/2]、m个周期层[L/2 H L/2]、1个抗反射涂层b*[L/2 H L/2]，a＝1.04，b＝1.35，n和m代表周期数，1≤n，m＜18，且满足n+m＝18，L代表SiO₂层材料厚度λ/4/1.46，H代表Si₃N₄层材料厚度λ/4/2.01，其中λ满足[1240/(3.4+2.8y1)+30]nm＜λ＜[1240/(3.4+2.8y1)+40]nm。

2.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述AlN/蓝宝石模板层为蓝宝石衬底层上生长AlN层，AlN层厚度为20～50nm，蓝宝石衬底层厚度为600～1000nm。

3.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述i型Al_xGa_1-xN层厚度为150～250nm。

4.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型Al_xGa_1-xN层厚度为200～400nm。

5.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述i型Al_y1Ga_1-y1N层厚度为100～200nm。

6.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型Al_yGa_1-yN组分渐变层厚度为30～80nm。

7.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述i型Al_y2Ga_1-y2N层厚度为100～200nm，所述p型GaN层厚度为100～200nm。

8.根据权利要求1所述的AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型欧姆电极为Ti/Al/Ni/Au合金电极，p型欧姆电极为Ni/Au合金电极。