[发明专利]一种模拟量电流输入采集系统有效
申请号: | 201610157700.0 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105717342B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 徐文卿;解群眺;陈宇 | 申请(专利权)人: | 浙江中控技术股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模拟 电流 输入 采集 系统 | ||
1.一种模拟量电流输入采集系统,其特征在于,包括:第一电流源、第二电流源、第一电阻和第二电阻;其中:
所述第一电流源的控制端为所述模拟量电流输入采集系统的第一控制输入接口;
所述第二电流源的控制端为所述模拟量电流输入采集系统的第二控制输入接口;
所述第一电流源的第一端与所述第一电阻的一端相连,连接点为所述模拟量电流输入采集系统的第一采集接口;
所述第一电阻的另一端与电源相连;
所述第一电流源的第二端与所述第二电流源的第一端相连,连接点为所述模拟量电流输入采集系统的变送器正极接口;
所述第二电流源的第二端与所述第二电阻的一端相连,连接点为所述模拟量电流输入采集系统的第二采集接口;
所述第二电阻的另一端为所述模拟量电流输入采集系统的变送器负极接口,并接地;
在所述变送器正极接口和所述变送器负极接口与非配电变送器相连时,所述第一电流源用于通过其控制端接收第一给定限流电压值并导通,通过其第一端输出第一采样信号;所述第二电流源用于通过其控制端接收第一给定增量电压值并导通;所述第二电流源的导通使得所述第一采样信号产生增量,若该增量等于所述第一给定增量电压值输入到所述第二电流源后所产生的理论增量,则说明所述模拟量电流输入采集系统的模拟量电流输入无偏差;
在所述变送器正极接口和所述变送器负极接口与配电变送器相连时,所述第二电流源用于通过其控制端接收第二给定限流电压值并导通,通过其第二端输出第二采样信号;所述第一电流源用于通过其控制端接收第二给定增量电压值并导通;所述第一电流源的导通使得所述第二采样信号产生增量,若该增量等于所述第二给定增量电压值输入到所述第一电流源后所产生的理论增量,则说明所述模拟量电流输入采集系统的模拟量电流输入无偏差。
2.根据权利要求1所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第一电流源包括:第一运算放大器和PMOS晶体管;其中:
所述第一运算放大器的同相输入端为所述第一电流源的控制端;
所述第一运算放大器的反相输入端与所述PMOS晶体管的源极相连,连接点为所述第一电流源的第一端;
所述第一运算放大器的输出端与所述PMOS晶体管的栅极相连;
所述PMOS晶体管的漏极为所述第一电流源的第二端。
3.根据权利要求2所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第二电流源包括:第二运算放大器和NMOS晶体管;其中:
所述第二运算放大器的同相输入端为所述第二电流源的控制端;
所述第二运算放大器的反相输入端与所述NMOS晶体管的源极相连,连接点为所述第二电流源的第二端;
所述第二运算放大器的输出端与所述NMOS晶体管的栅极相连;
所述NMOS晶体管的漏极为所述第二电流源的第一端。
4.根据权利要求1所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第一给定限流电压值、所述第一给定增量电压值、所述第二给定限流电压值和所述第二给定增量电压值均为数模转换芯片输出。
5.根据权利要求1至4任一所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第一给定限流电压值满足:V1≤VCC-I×R1,其中,V1为所述第一给定限流电压值,VCC为所述电源电压,I为所述模拟量电流输入采集系统的最大允许电流值,R1为所述第一电阻的阻值。
6.根据权利要求5所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第一给定增量电压值为零。
7.根据权利要求1至4任一所述的模拟量电流输入采集系统,其特征在于,所述第二给定限流电压值满足:V2≥I×R2,其中,V2为所述第二给定限流电压值,I为所述模拟量电流输入采集系统的最大允许电流值,R2为所述第二电阻的阻值。
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