[发明专利]一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件及方法在审
申请号: | 201610157828.7 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105607298A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 徐德刚;严德贤;王与烨;钟凯;闫超;刘鹏翔;石嘉;姚建铨 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘玥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 dast 晶体 赫兹 调制 开关 器件 方法 | ||
1.一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征在于,包括太赫兹开关调制 器,所述太赫兹开关调制器由有机非线性电光DAST晶体和相对称的设置在有机非线性电光 DAST晶体两侧端面的金属电极构成,其中一侧端面的金属电极连接有由可调谐电阻器和可 调谐电容器并联构成的输入匹配电路,另一侧端面的金属电极接电源地。
2.根据权利要求1所述的一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征在于, 所述有机非线性电光DAST晶体的结构尺寸为长、宽、高分别为10mm、1-2mm和10mm。
3.根据权利要求1所述的一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征在于, 所述金属电极的厚度为500nm-1000nm。
4.根据权利要求1或3所述的一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征 在于,所述金属电极由金、银、铂或铝金属构成。
5.根据权利要求1所述的一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征在于, 所述可调谐电阻器的调节范围为0-1MΩ。
6.根据权利要求1所述的一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件,其特征在于, 所述可调谐电容器的调节范围为0-1F。
7.根据权利要求1所述一种基于DAST晶体太赫兹波的内调制开关器件的控制方法,其 特征在于,包括以下步骤:
(1)选择两束波长为λ1、λ2且频率差在太赫兹波段的两束入射激光,将上述两束入射激 光同时入射至有机非线性电光DAST晶体,基于有机非线性电光DAST晶体的非线性效应差 频产生太赫兹波λTHz;
(2)固定λ1的值,调节λ2的值,得到带宽可调谐的太赫兹波λTHz,此过程中,波长为λ1、 λ2和λTHz的三个波长所对应的波矢k1,k2,kTHz满足完全共线相位匹配条件;
(3)通过输入匹配电路给有机非线性电光DAST晶体施加直流电压信号和调制电压信号, 利用DAST晶体的电光效应,改变DAST晶体的折射率,使波矢k1,k2,kTHz不再满足完全 共线相位匹配条件,影响太赫兹波输出,使太赫兹的通断状态发生变化,实现太赫兹开关功 能。
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