[发明专利]一种倒装焊芯片的制作方法及裸芯片组件

权利要求书

1.一种倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻；其中，所述预设位置为裸芯片上待电镀铜柱位置以外的区域；

在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层；

在所述待电镀铜柱位置电镀铜柱。

2.根据权利要求1所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在已完成金属溅射工艺的裸芯片的预设位置进行金属化层蚀刻的步骤中，包含以下子步骤：

在已完成金属溅射工艺的所述裸芯片的第一表面覆盖光刻胶；

经曝光，显影去除所述预设位置上的光刻胶；

对所述裸芯片进行金属化层蚀刻。

3.根据权利要求2所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层的步骤中，包含以下子步骤：

去除所述待电镀铜柱位置的所述光刻胶；

在所述裸芯片的第一表面覆盖薄膜保护层；

经曝光，显影去除所述待电镀铜柱位置的薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层。

4.根据权利要求3所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在去除所述待电镀铜柱位置的薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层的步骤后，还包含以下步骤：

在所述裸芯片的第一表面覆盖光刻胶；

对所述裸芯片进行光线曝光，并将待电镀铜柱位置的光刻胶进行显影。

5.根据权利要求1所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，所述薄膜保护层为聚酰亚胺PI层。

6.根据权利要求5所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，所述聚酰亚胺PI层的厚度范围区间为[5μm，10μm]。

7.根据权利要求5所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在所述裸芯片的所述预设位置覆盖薄膜保护层，并固化所述薄膜保护层的步骤中，通过对所述裸芯片进行烘烤，固化所述薄膜保护层。

8.根据权利要求7所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，所述烘烤的烘烤时间为2小时，烘烤温度为350℃。

9.根据权利要求1所述的倒装焊芯片的制作方法，其特征在于，在所述待电镀铜柱位置电镀铜柱的步骤之后，还包含：在所述铜柱上沉积焊球。

10.一种裸芯片组件，其特征在于，包含：裸芯片本体、沉积有焊球的铜柱、第一钝化层以及薄膜保护层；

所述第一钝化层以及所述薄膜保护层依次铺设于所述裸芯片本体；

所述第一钝化层以及所述薄膜保护层对应于所述裸芯片本体中的铝垫位置均设有贯穿的通孔；

所述铜柱容置于所述通孔，且所述铜柱抵持于所述裸芯片本体中的铝垫。

11.根据权利要求10所述的裸芯片组件，其特征在于，所述薄膜保护层为聚酰亚胺PI层。