[发明专利]减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法

权利要求书

1.一种减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，提供毫米波芯片，所述毫米波芯片的外延材料上生长有介质，所述介质包括SiC衬底、外延沟道、势垒层、源漏电极及T型栅，所述T型栅结构采用电子束一次成型制备，其特征在于：所述减小毫米波AlGaN/GaNHEMT栅寄生电容的方法包括以下步骤：

1）、剥离栅金属，对栅结构进行钝化，钝化的致密介质具有耐BOE溶液腐蚀特性；

2）、生长电容介质；电容介质采用疏松的SiN介质；

3）、采用光刻工艺使栅暴露出来而电容结构被胶保护；

4）、利用BOE溶液对电容介质进行腐蚀，控制时间去除栅两侧的电容介质并保留钝化介质。

2.根据权利要求1所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：致密介质是SiN或SiO₂介质。

3.根据权利要求1所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：钝化的致密介质作为BOE溶液的自停止层。

4.根据权利要求3所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：控制做栅钝化的致密介质和做电容的电容介质的BOE腐蚀速率差异去除栅两侧的电容介质减小栅寄生电容。

5.根据权利要求4所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：栅钝化时，在300℃以上的温度下生长SiN介质，生长SiN介质的厚度在50nm。

6.根据权利要求5所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：做栅钝化的致密介质的BOE腐蚀速率对于特定配比的去离子水和BOE溶液，腐蚀速率小于10nm/min。

7.根据权利要求6所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：栅钝化后，电容介质采用小于200℃的温度生长。

8.根据权利要求1所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：做电容的电容介质的BOE腐蚀速率对于特定配比的去离子水和BOE溶液，腐蚀速率大于100nm/min。

9.根据权利要求2所述的减小毫米波AlGaN/GaN HEMT栅寄生电容的方法，其特征在于：致密介质是采用ICP生长的SiN介质。