[发明专利]双自由度MEMS压电梁结构在审
申请号: | 201610160263.8 | 申请日: | 2016-03-21 |
公开(公告)号: | CN105823904A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 司朝伟;韩国威;赵永梅;宁瑾;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01P15/09 | 分类号: | G01P15/09;G01C19/5656 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自由度 mems 压电 结构 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610160263.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。