[发明专利]多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法有效
| 申请号： | 201610162011.9 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106024884B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 范淑贞;S·K·卡纳卡萨巴帕西;玉仁祚;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/118;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 酆迅;吕世磊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 替换 金属 栅极 cmos 器件 稳定 阈值 电压 | ||
【说明书】：
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