[发明专利]WTe2单晶作为低温压力传感器材料的应用在审
| 申请号： | 201610163120.2 | 申请日： | 2016-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN105698977A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李世燕;蔡鹏林 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01L1/12 | 分类号： | G01L1/12;G01L9/16 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | wte sub 作为 低温 压力传感器 材料 应用 | ||
【权利要求书】：
1.WTe2单晶作为低温压力传感器材料的应用，其特征在于，具体步骤为：
（1）首先，将WTe2单晶做成电极，使得电流沿着钨连方向流动；
（2）然后，将做好电极的WTe2单晶置入5K以下低温环境中；
（3）接着，沿着单晶垂直于钨碲层方向施加强磁场，得到该单晶的磁阻值；
（4）在不同压力下重复步骤（1）、步骤（2）、步骤（3），标定不同压力下该样品的磁阻值；
（5）最后，利用WTe2单晶在不同压力下磁阻值有着显著区别的特点，施加一定强度的磁场，用标定好的WTe2单晶作为低温下更加精确的压力传感器材料。
2.一种由WTe2单晶作为传感材料的低温压力传感器。
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