[发明专利]一种ITO靶材的背面金属化方法

说明书

本发明涉及一种ITO靶材的背面金属化方法，该方法是将靶材清净，将不需要金属化的部分用耐热薄膜覆盖，放在常温的加热台上，需金属化的一面朝上，将加热台升温至200～230度，使靶材需金属化的一面温度为170～180度，将铟料放置在靶材待金属化的一面，待其熔化后用铜刷均匀地涂满待金属化的一面，然后用超声波涂铟机再均匀地涂2～4遍；用刮板将多余铟料刮干净；自然降温后将靶材取下加热台，去掉薄膜，完成靶材金属化。本发明采用简单的加热台配合超声波涂铟机进行，可以简单高效地完成ITO靶材背面金属化，其优点为：无需昂贵设备、操作简单高效无污染、可进行大面积的金属化，成本低，适合大批量生产。

技术领域

本发明涉及一种用于磁控溅射镀膜的氧化铟锡（ITO）靶材的背面金属化方法。

背景技术

ITO靶材是磁控溅射镀制ITO透明导电薄膜的原材料。ITO膜做为一种性能优异的透明导电膜，广泛应用于平板显示器、触摸屏、太阳能电池、LED等行业。ITO靶材在安装使用时，是与一块背板（通常是铜板）焊接在一起的，这个过程在行业内叫做贴合。为避免在镀膜时引入杂质，目前普遍使用的焊料是金属铟。同时，为了让ITO靶材这种陶瓷材料能与金属背板牢固的焊接在一起，通常会在ITO靶材的背面镀上一层金属铟，这个过程在行业内叫靶材金属化。

ITO靶材的金属化有常规气相蒸发法、磁控溅射法、中国专利CN103031524A公开的离子沉积法等方法，这些方法需要昂贵的镀膜设备，而且可金属化的面积受设备尺寸的限制。中国专利CN101705501A公开一种电解法ITO靶材背面金属化的方法，电解方法不仅产生大量污染，而且金属化层存在空洞不致密的现象，影响后面钎焊效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种利用加热台配合超声波涂铟机的ITO靶材的背面金属化方法，该方法无需昂贵设备、操作简单高效无污染、可进行大面积ITO靶材背面金属化。

解决上述技术问题的技术方案是：一种ITO靶材的背面金属化方法，包括以下步骤：

⑴将待金属化的ITO靶材用去离子水洗净并擦干；

⑵将步骤⑴靶材不需金属化的表面用耐热薄膜覆盖；

⑶将步骤⑵靶材放置在常温的加热台上，需金属化的一面朝上；

⑷然后将加热台以不大于5度/分钟的升温速度升温至200～230度，并恒温在200～230度，使靶材待金属化的一面温度达到170～180度；

⑸工作台恒温在200～230度，将金属铟放置在靶材待金属化的一面，待其熔化后，用铜刷均匀地将金属铟涂满靶材待金属化的一面，然后用超声波涂铟机对已完全覆盖靶材金属化面的铟层再次涂抹2～4遍；

⑹用刮板将未粘附上的多余的铟料刮干净；

⑺将加热台断电，自然降温至室温，将完成金属化的靶材取下加热台，然后去掉包覆的薄膜，即完成靶材金属化。

本发明的进一步技术方案是：步骤⑵中所述的耐热薄膜是铝薄、锡薄或者能耐230度以上的高温胶带。

步骤⑸中金属铟的纯度为99.9%以上。

步骤⑸中在靶材待金属化的一面放置的金属铟的使用量，按1m²靶材待金属化面的面积使用80～250g金属铟计算。

本发明采用简单的加热台配合超声波涂铟机进行，可以简单高效地完成ITO靶材背面金属化，超声波涂铟机与现有技术需要使用的镀膜设备（例如多弧离子镀膜机）相比，价格要便宜得多。故本发明的优点为：无需昂贵设备、操作简单高效无污染、可进行大面积的ITO靶材背面金属化，成本低，适合大批量生产。

具体实施方式

实施例1：