[发明专利]一种用于制造显示面板的方法、显示面板以及显示装置

说明书

本发明涉及一种用于制造显示面板的方法、显示面板以及显示装置。一种用于制造显示面板的方法包括：在基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；氧化所述第二金属层的一部分以形成延伸到所述第一金属层的表面的氧化物；去除所述氧化物以暴露所述第一金属层的所述表面；以及在所述第一金属层的暴露的所述表面上形成导电层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别地，涉及一种用于制造显示面板的方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

TFT-LCD现有显示产品阵列设计中，尤其是嵌入式(full in Cell)触控产品，作为公共电极的诸如ITO的透明氧化物层经常需要与源极/漏极(S/D)电极层相连接以传递信号。在分时驱动时，该公共电极在显示阶段传递公共电压信号(Vcom)并在触控阶段传递触控信号。然而，低温多晶硅(LTPS)工艺中S/D材料所采用的导电材料与公共电极层之间的接触电阻过大，从而劣化显示面板的显示和触控性能。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于制造显示面板方法，能够有效解决导电布线之间由于界面氧化物的存在所导致的接触电阻增高的问题。

本发明的一个方面提供了一种用于制造显示面板的方法，包括：

在基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成第二金属层；

氧化所述第二金属层的一部分以形成延伸到所述第一金属层的表面的氧化物；

去除所述氧化物以暴露所述第一金属层的所述表面；以及

在所述第一金属层的暴露的所述表面上形成导电层。

进一步地，所述第二金属层具有500到1000埃的厚度。

进一步地，还包括构图所述第一金属层以形成源极/漏极电极层，以及所述导电层在显示阶段作为公共电极且在触控阶段作为触控电极。

进一步地，在所述氧化之前，在所述第二金属层上形成隔离层并构图所述隔离层以形成暴露所述第二金属的所述部分的开口。

进一步地，所述氧化包括在形成所述开口之后的所述第二金属层的氧暴露。

进一步地，所述氧暴露包括下列中的至少一种：

在工序间转移所述基板的步骤；

构图所述隔离层之后的退火步骤；以及

在形成所述导电层之前的所述隔离层的灰化步骤。

进一步地，去除所述氧化物包括去除位于所述开口的底部处的所述氧化物以暴露所述第一金属层的顶表面。

进一步地，使用所述隔离层作为保护层，通过湿法蚀刻来去除所述氧化物。

进一步地，所述导电层形成在所述隔离层的顶表面上、所述开口的所述侧壁上和所述第一金属层的暴露的所述顶表面上。

进一步地，所述第一金属层包括Ti/Al/Ti叠层或Mo/Al/Mo叠层，所述第二金属层包括Al或Ag，以及所述导电层包括透明导电层。

进一步地，所述第一金属层包括Ti/Al/Ti叠层以及所述第二金属层包括Al，其中所述第一金属层和所述第二金属层通过依次连续沉积Ti、Al、Ti、Al层而形成。

进一步地，所述透明导电层包括ITO。

进一步地，所述隔离层包括树脂。

进一步地，通过稀硫酸溶液去除所述氧化物。

本发明的另一方面提供了一种显示面板，包括：

在基板上形成的第一金属层；