[发明专利]一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体单晶硅片的加工技术领域，具体涉及一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法。

背景技术

随着集成电路的小型化发展，封装形式越来越小，晶圆片厚度越来越薄，但同时给芯片的分离带来了难度，采用无论是进口还是国产的划片刀，使用传统的修刀工艺或厂家提供的修刀工艺，划片时经常会造成崩边和裂芯的现象，统计不合格比例达到10%以上，使得产品报废严重，上芯效率低下，并且存在将隐患产品发给客户而遭受索赔的风险。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种薄晶圆片划片刀的修刀方法，划片刀在使用新的修刀工艺之后再进行正式产品的划片分离，成功解决了厚度为90-120μm的超薄晶圆片划片后崩边和裂芯的问题，将产品不合格率降低至0.5%以下，取得了较好的经济效益。

本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种超薄晶圆片划片刀的修刀方法，其特征在于具体步骤：将厚度为100-250μm的修刀用晶圆片的正面贴上两层半导体用的保护膜，划片刀修刀时沿着晶圆片的解理面进行划片，采用阶梯升速式进刀速度进行修刀，具体为进刀速度从5mm/s升至40mm/s的过程中，每修30-50刀提升进刀速度5mm/s，直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀。

进一步优选，所述的保护膜为蓝膜、UV膜或热缩膜。

进一步优选，所述的修刀用晶圆片为生产过程中或产品试验中产生的不合格晶圆片。

本发明具有以下有益效果：通过调整划片刀修刀工艺，实现了降低产品崩边和裂芯的问题，并且将划片刀的修刀时间大大降低，生产效率和质量均得到大幅提升，同时降低企业生产成本和风险，增加客户满意度。

具体实施方式

以下通过实施例对本发明的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容实现的技术均属于本发明的范围。

实施例

步骤1：选择修刀用的晶圆片

选用3寸、4寸、5寸及6寸单晶硅片，可以是生产过程或试验过程的报废晶圆片，考虑到对划片刀的消耗成本和修刀质量，要求修刀用的晶圆片厚度为100-250μm，晶圆片正面留存减薄时的保护膜，可以是蓝膜、UV膜或热缩膜。

步骤2：粘附第二层保护膜

将晶圆片带保护膜一面正面朝上放置到专用粘片机的晶圆片位置上，然后将划片专用撑片环放置到粘片机放环位置上，此时将划片使用的蓝膜、UV膜或热缩膜从晶圆片上方平整的粘贴到撑片环和晶圆片上，之后去除撑片环上的边角膜，此时的晶圆片正面就有了两层保护膜，将其背面朝上放置到划片机上待修刀用。

步骤3：定位划片晶面

将新划片刀换置到划片机后，找好晶圆片定位面或解理面，按照一定的步距进行修刀240刀-400刀，步距可根据硅片尺寸大小自行调整，但是因为晶体中不同晶面原子密度不一样的缘故，在解理面上划片时晶圆片会沿着解理面整齐的裂开而不会产生硅渣和损坏管芯，所以必须保证划片刀修刀时沿晶圆片解理面进行划片，以防划其他晶面时产生的大颗粒硅渣损坏本已修好的刀体。

步骤4：划片修刀

采用阶梯升速式的进刀速度进行修刀，从5mm/s升至40mm/s，每修30刀-50刀提升进刀速度5mm/s，直至进刀速度达到40mm/s并保持至完成修刀。

上述实施例在划片刀修刀后可以得到较理想的刀体，使得划正式产品晶片时产生的崩边和裂芯现象大幅度减少。

以上实施例描述了本发明的基本原理、主要特征及优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明原理的范围下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进均落入本发明保护的范围内。