[发明专利]一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件在审

专利信息
申请号: 201610166468.7 申请日: 2016-03-22
公开(公告)号: CN105702862A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 张浩 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 晶体管 及其 制备 方法 oled 显示 器件
【权利要求书】:

1.一种有机晶体管,其特征在于,包括:层叠设置在衬底上的集 电极和发射极、设置在所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导 体层、第二有机半导体层以及位于所述第一有机半导体层和所述第二 有机半导体层之间的基极;

其中,所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半 导体层形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。

3.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述基极的 厚度为20-30nm。

4.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。

5.一种OLED显示器件,包括驱动晶体管以及发光层,其特征在 于,所述驱动晶体管为权利要求1-4任一项所述的有机晶体管。

6.根据权利要求5所述的OLED显示器件,其特征在于,所述 OLED显示器件还包括空穴注入层和空穴传输层;

所述有机晶体管中的集电极靠近衬底设置,第一有机半导体层、 基极以及第二有机半导体层依次设置在所述集电极的上方,所述空穴 注入层、所述空穴传输层和所述发光层设置在所述第二有机半导体层 和发射极之间;

其中,所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P 型有机半导体。

7.根据权利要求6所述的OLED显示器件,其特征在于,所述 OLED显示器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置在所述发射极 与所述发光层之间。

8.一种有机晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过蒸镀工 艺在衬底上形成层叠的集电极和发射极、以及位于所述集电极与所述 发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层和基极;所述基 极位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间;

其中,所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半 导体层形成肖特基接触。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一有机 半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。

10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述基极的 厚度为20-30nm。

11.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。

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