[发明专利]一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件在审
申请号: | 201610166468.7 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN105702862A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 张浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 晶体管 及其 制备 方法 oled 显示 器件 | ||
1.一种有机晶体管,其特征在于,包括:层叠设置在衬底上的集 电极和发射极、设置在所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导 体层、第二有机半导体层以及位于所述第一有机半导体层和所述第二 有机半导体层之间的基极;
其中,所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半 导体层形成肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。
3.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述基极的 厚度为20-30nm。
4.根据权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。
5.一种OLED显示器件,包括驱动晶体管以及发光层,其特征在 于,所述驱动晶体管为权利要求1-4任一项所述的有机晶体管。
6.根据权利要求5所述的OLED显示器件,其特征在于,所述 OLED显示器件还包括空穴注入层和空穴传输层;
所述有机晶体管中的集电极靠近衬底设置,第一有机半导体层、 基极以及第二有机半导体层依次设置在所述集电极的上方,所述空穴 注入层、所述空穴传输层和所述发光层设置在所述第二有机半导体层 和发射极之间;
其中,所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P 型有机半导体。
7.根据权利要求6所述的OLED显示器件,其特征在于,所述 OLED显示器件还包括电子传输层,所述电子传输层设置在所述发射极 与所述发光层之间。
8.一种有机晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过蒸镀工 艺在衬底上形成层叠的集电极和发射极、以及位于所述集电极与所述 发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层和基极;所述基 极位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间;
其中,所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半 导体层形成肖特基接触。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一有机 半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述基极的 厚度为20-30nm。
11.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一有 机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择