[发明专利]一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机‑无机复合太阳电池

权利要求书

1.一种具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜材料的应用，其特征在于：所述纳米锗薄膜由颗粒堆积而成，颗粒尺寸为5-25nm，将所述纳米锗薄膜用于双通道并联型有机-无机复合太阳电池，所述太阳电池采用有机给体/有机受体体相异质结和有机给体/无机受体平面异质结共存的复合结构，所述复合结构实现并联方式的双通道载流子输运，所述有机给体/有机受体体相异质结由PTB7-Th和PC₇₀BM组成，所述有机给体/无机受体平面异质结由PTB7-Th和多孔纳米锗薄膜组成，多孔纳米锗薄膜作为有机给体/有机受体体相异质结结构的电子传输层，同时作为有机给体/无机受体平面异质结结构的无机受体材料，有机给体/有机受体体相异质结和有机给体/无机受体平面异质结在一次旋涂工艺中同时形成，具体方法如下：将质量比为1:1.5的PTB7-Th:PC₇₀BM共混溶液均匀滴涂于多孔纳米锗薄膜上，静置35s后，在800转/分钟和1500转/分钟分别旋转10s和60s。

2.如权利要求1所述的具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜材料的应用，其特征在于：所述太阳电池的制备为：在玻璃衬底上依次形成第一氧化铟锡透明导电层、氧化锌电子传输层、多孔纳米锗薄膜层、PTB7-Th与PC₇₀BM共混的有机层、氧化钼空穴传输层、第二氧化铟锡透明导电层，所述第一氧化铟锡透明导电层和第二氧化铟锡透明导电层的厚度均为100nm，所述氧化锌电子传输层的厚度为30nm，所述多孔纳米锗薄膜层厚度为45nm，所述PTB7-Th与PC₇₀BM共混的有机层的厚度为100nm，所述氧化钼空穴传输层的厚度为5nm，所述太阳电池在工作时太阳光由第二氧化铟锡透明导电层一侧入射。