[发明专利]一种花瓣形状SnO2纳米阵列的合成技术

权利要求书

1.一种花瓣形状SnO₂纳米阵列材料，其特征在于该材料经由如下方法制备得到：

(1)配制水热合成前驱体反应溶液

a.以Na₂SnO₃·4H₂O为锡源，用天平称量一定量的Na₂SnO₃·4H₂O，将其溶解在一定体积 去离子水中，搅拌30~60分钟，将其配制成摩尔浓度为2.0~3.0mol/L的水溶液；

b.按照与a步骤中配制的Na₂SnO₃·4H₂O水溶液的体积比为1:2.5~1:3.5的体积量取无 水乙醇，将无水乙醇加入到a步骤中配制的混合水溶液中；

c.应用超声技术将混合水溶液处理20~60分钟，配制成水热合成前驱体溶液反应体 系；

(2)将水热合成前驱体反应溶液移入内衬为聚四氟乙烯的微型反应釜中，在180~250 ^oC温度下保温24~72小时，然后随炉冷却；

(3)将反应后的溶液进行离心分离，得到反应沉积产物；

(4)用去离子水和无水乙醇反复清洗反应沉积产物，除去反应残留物及反应副产物， 将清洗后的样品分离、烘干，即制得由直径约4~10nm纳米棒形成的具有花瓣形状SnO₂纳米 阵列。

2.如权利要求1所述花瓣形状SnO₂纳米阵列纳米材料的应用，其特征在于该材料作为气 体敏感材料制作气体传感器的应用。