[发明专利]高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜，其特征在于：包括在多晶硅 片衬底正表面自下而上依次设置的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光 学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层；所述的底层SiN_x层、中间层 SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层的折射率 递减；所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及 顶层光学优化层SiO_xN_y层的总膜厚为70～135nm，总折射率为1.95～2.20。

2.如权利要求1所述的高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜，其特征在于： 所述的底层SiN_x层、中间层SiN_x层以及单层或多层光学优化层SiN_x层均采用 PECVD法制备；所述的底层SiN_x层的折射率为2.15～2.35，厚度为4～15nm；所 述的中间层SiN_x层的折射率为2.10～2.30，厚度为10～25nm；所述的单层或多层 光学优化层SiN_x层的折射率为1.95～2.25，厚度为20～65nm。

3.如权利要求1所述的高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜，其特征在于： 所述的顶层光学优化层SiO_xN_y层采用PECVD法将含氧气体与SiH₄、NH₃一起 沉积而成；其膜厚为15～60nm，折射率为1.6～1.95。

4.一种如权利要求1所述的高PID抗性的多晶多层钝化减反射膜的制备方 法，其特征在于：包括以下步骤：

1)多晶硅片常规工艺处理后进行刻蚀；

2)刻蚀后多晶硅片由载具送入300℃到550℃之间的PECVD腔体内，通入 含氧气体3min到20min；

3)使用PECVD设备镀多层钝化减反射膜；包括在多晶硅片衬底正表面自 下而上依次设置的底层SiN_x层、中间层SiN_x层、单层或多层光学优化层SiN_x层以及顶层光学优化层SiO_xN_y层；

4)使用传统电池印刷工艺印刷背电极、铝背场、正栅线和正电极，并烧结。