[发明专利]相变化记忆体及其制造方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：

(i)形成一图案化堆叠结构于一基材上，其中该图案化堆叠结构包含一第一图案化加热材料层、一第二图案化加热材料层及一图案化导电层夹置在该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层之间，其中该第一图案化加热材料层、该第二图案化加热材料层及该图案化导电层各自包含一第一宽部、一第二宽部以及一第一窄部，各该第一窄部桥接各自对应的该第一宽部与该第二宽部；

(ii)移除该图案化导电层的该第一窄部，并移除该图案化导电层的该第一宽部及该第二宽部各自的一部分，以形成彼此分离的一第一导电结构及一第二导电结构，其中该第一导电结构夹置在该第一图案化加热材料层的该第一宽部与该第二图案化加热材料层的该第一宽部之间，该第二导电结构夹置在该第一图案化加热材料层的该第二宽部与该第二图案化加热材料层的该第二宽部之间；

(iii)形成一第一介电层覆盖该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层以及该第一导电结构及该第二导电结构；

(iv)移除该第一图案化加热材料层及该第二图案化加热材料层的各该第一窄部的一部分以及移除该第一介电层的一部分，而形成截断各该第一窄部的一第一凹口；以及

(v)形成一相变化元件于该第一凹口中。

2.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，还包含以下操作：

形成一第三介电层覆盖该相变化元件及该第一介电层；

在该第三介电层及该第一介电层中形成一第二凹口，该第二凹口暴露出该第二图案化加热材料层的该第二宽部；以及

形成一第二导电接触结构于该第二凹口中，使该第二导电接触结构接触该第二图案化加热材料层的该第二宽部。

3.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在操作(iv)中，该第一图案化加热材料层的一剩余部分以及该第二图案化加热材料层的一剩余部分分别形成一第一加热层结构以及一第二加热层结构，且该第一图案化加热材料层的另一剩余部分以及该第二图案化加热材料层的另一剩余部分分别形成一第三加热层结构以及一第四加热层结构，其中该第一加热层结构及该第二加热层结构位于该第一凹口的一侧，且该第三加热层结构及该第四加热层结构位于该第一凹口的另一侧。

4.如权利要求3所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中该基材包含一第二介电层，该图案化堆叠结构位于该第二介电层上方，且在操作(iv)中，该第一凹口进一步延伸至该第二介电层中。

5.如权利要求 4所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在操作(iv)之后，还包含：蚀刻该第一凹口内的该第一介电层的一侧壁以及该第二介电层的一侧壁，使该第一加热层结构及该第二加热层结构中的至少一者的一边缘部分凸出该第二介电层的该侧壁以及该第一介电层的该侧壁。

6.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在操作(i)中，该第一图案化加热材料层、该第二图案化加热材料层及该图案化导电层各自还包含一第二窄部，各该第二窄部桥接各自对应的该第一宽部与该第二宽部，且其中操作(iv)还包含移除各该第一图案化加热材料层及第二图案化加热材料层的该第二窄部的一部分，而形成该第一凹口。