[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成栅极(20)，所述栅极(20)为U形结构，包括第一竖直部(21)、第二竖直部(22)、以及连接第一与第二竖直部(21、22)对应端部的横向连接部(23)；

步骤2、在所述栅极(20)及基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积非晶硅，得到非晶硅薄膜，采用低温结晶工艺将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜，采用一道光罩对所述多晶硅薄膜进行图形化处理，得到有源层(40)；

步骤3、对整个有源层(40)进行离子轻掺杂；对所述有源层(40)上的部分区域进行离子重掺杂，对应该部分区域形成漏极接触区(47)以及分别位于所述漏极接触区(47)的两侧且与其间隔一定距离的第一源极接触区(45)与第二源极接触区(46)；

其中，所述漏极接触区(47)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的右侧仅部分重叠；所述第二源极接触区(46)的左侧与所述栅极(20)的第二竖直部(22)的右侧仅部分重叠；

所述有源层(40)上位于所述第一源极接触区(45)的右侧边缘与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘之间的区域形成第一轻掺杂补偿区(43)，位于所述栅极(20)的第一竖直部(21)的左侧边缘与所述漏极接触区(47)的左侧边缘之间的区域形成第一沟道区(41)，位于所述漏极接触区(47)的右侧边缘与所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘之间的区域形成第二轻掺杂补偿区(44)，位于所述栅极(20)的第二竖直部(22)的左侧边缘与所述第二源极接触区(46)的左侧边缘之间的区域形成第二沟道区(42)；

步骤4、在所述有源层(40)上分别对应第一源极接触区(45)、第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置形成第一源极(51)、第二源极(52)、及漏极(53)，且所述漏极(53)的左侧与所述栅极(20)的第一竖直部(21)的右侧之间形成第一重叠区(510)，所述第二源极(52)的左侧与所述栅极(20)的第二竖直部(21)的右侧之间形成第二重叠区(520)；

步骤5、在所述第一源极(51)、第二源极(52)、漏极(53)、有源层(40)、及栅极绝缘层(30)上沉积钝化保护层(60)，采用一道光罩对所述钝化保护层(60)进行图形化处理，分别对应于所述第一源极(51)、第二源极(52)、漏极(53)上方形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、及第三通孔(63)；

步骤6、在所述钝化保护层(60)上沉积导电层，采用一道光罩对所述导电层进行图形化处理，得到第一接触电极(71)、第二接触电极(72)、第三接触电极(73)、及连接导线(80)，所述第一、第二接触电极(71、72)分别经由第一、第二通孔(61、62)与第一、第二源极(51、52)相接触，所述第三接触电极(73)经由第三通孔(63)与漏极(53)相接触；

所述连接导线(80)将所述第一与第二接触电极(71、72)连接在一起，由于所述第一、第二接触电极(71、72)分别与所述第一、第二源极(51、52)相连，从而将所述第一、第二源极(51、52)连接在一起，形成一U形的源极(90)，从而制得一TFT基板。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一沟道区(41)与第二沟道区(42)的宽度相等，所述第一轻掺杂补偿区(43)与第二轻掺杂补偿区(44)的宽度相等，所述第一重叠区(510)和第二重叠区(520)的宽度相等。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，对整个有源层(40)进行N型离子轻掺杂，对应所述第一源极接触区(45)、第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置对所述有源层(40)进行P型离子重掺杂；或者，对整个有源层(40)进行P型离子轻掺杂，对应所述第一源极接触区(45)、第二源极接触区(46)、及漏极接触区(47)的位置对所述有源层(40)进行N型离子重掺杂。