[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括基底，还包括形成在基底上的公共电极、多行栅线和多个像素电极，各个像素电极与公共电极设置在不同层，每一像素电极与公共电极存在垂直交叠部分；连接到同一行栅线的两个像素电极中，距离栅线第一端较远的像素电极与公共电极的垂直交叠部分的面积小于距离栅线第一端较近的像素电极与公共电极的垂直交叠部分的面积。本发明中，距离栅线第一端较远的像素电极的跳变电压相对于距离栅线第一端较近的像素电极的跳变电压得到较多的补偿，使两个像素电极的跳变电压之间的差距减小，从而减少残像的发生，而且相对于现有技术中增加栅源电容的方式，可以减小阵列基板的功耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

现有技术的TFT-LCD中，在对像素电极充电结束的瞬间，像素电极上产生一个跳变电压△Vp。由于在一行栅线上不同位置处，栅极驱动信号的延时是不同的，造成一行栅线上不同位置处所连接的像素电极上产生的跳变电压△Vp是不同的，距离栅线的栅极驱动信号接入端越远的像素电极，其跳变电压△Vp越小。由于一行栅线上不同位置处所连接的像素电极上产生的跳变电压△Vp不同，因此会引起残像的发生。

目前，现有的解决方法是增加距离栅线的栅极驱动信号接入端较远处的像素电极的栅源电容，以此对距离栅线的栅极驱动信号接入端较远处的像素电极的跳变电压△Vp进行补偿，但是这种方法无疑会增加阵列基板的功耗。

发明内容

针对以上缺陷，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，可以在不增加功耗的基础上对一行栅线上不同位置处像素电极的跳变电压进行补偿，以减少残像的发生。

第一方面，本发明提供的阵列基板包括基底，还包括形成在所述基底上的公共电极、多行栅线和多个像素电极，各个像素电极与所述公共电极设置在不同层，每一像素电极与所述公共电极存在垂直交叠部分；连接到同一行栅线的两个像素电极中，距离栅线第一端较远的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积小于距离栅线第一端较近的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积，所述第一端为栅线接入栅极驱动信号的一端。

可选的，连接到同一行栅线的各个像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积从所述栅线第一端至栅线另一端逐渐减小。

可选的，与所述两个像素电极中每一个电极对应位置处的公共电极上均开设有镂空部分，且距离栅线第一端较远的像素电极对应位置处的公共电极上的镂空部分的面积大于距离栅线第一端较近的像素电极对应位置处的公共电极上的镂空部分的面积，以使距离栅线第一端较远的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积小于距离栅线第一端较近的像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积。

可选的，连接到同一行栅线的两个像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积之差与所述两个像素电极的跳变电压的倒数之差成正比；所述跳变电压为在栅线上的电压从栅线高电压降至栅线低电压时像素电极上产生的压降。

可选的，所述两个像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积之差与所述两个像素电极的跳变电压的倒数之差之间的比值为C_gs*(V_gh-V_gl)*d/ε；其中，C_gs为栅源电容，V_gh为所述栅线高电压，V_gl为所述栅线低电压，d为像素电极和公共电极之间的间距，ε为像素电极和公共电极之间的介电系数。

可选的，位于同一列的各个像素电极与所述公共电极的垂直交叠部分的面积均相等。

第二方面，本发明提供的阵列基板的制作方法包括：