[发明专利]一种贵金属修饰的具有氧空位的(001)晶面氟硼共掺杂TiO2纳米片的制备方法有效
申请号: | 201610170057.5 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN105817238B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 虎号;纵榜峰 | 申请(专利权)人: | 宿州学院 |
主分类号: | B01J27/13 | 分类号: | B01J27/13;B01J27/12;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 234000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 贵金属 修饰 有氧 空位 001 晶面氟硼共 掺杂 tio sub 纳米 制备 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宿州学院,未经宿州学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610170057.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。