[发明专利]一种贵金属修饰的具有氧空位的(001)晶面氟硼共掺杂TiO2纳米片的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610170057.5 申请日: 2016-03-22
公开(公告)号: CN105817238B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 虎号;纵榜峰 申请(专利权)人: 宿州学院
主分类号: B01J27/13 分类号: B01J27/13;B01J27/12;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 234000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 贵金属 修饰 有氧 空位 001 晶面氟硼共 掺杂 tio sub 纳米 制备 方法
【说明书】:
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