[发明专利]一种抗弯曲多模光纤有效
| 申请号： | 201610170991.7 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105759344B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黄荣;王润涵;陈刚;王海鹰;龙胜亚;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 弯曲 光纤 | ||
1.一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，芯层折射率剖面呈α幂指数函数分布，其特征在于所述的包层由内到外依次为内包层、第一下陷包层、第二下陷包层以及外包层，所述的芯层分布指数α为1.9～2.2，半径R1为23～27μm，芯层最大相对折射率差Δ1为0.9～1.2％，所述的内包层的半径为R2，单边径向厚度R2-R1为0～6.0μm，相对折射率差Δ2为-0.3～0.03％，所述的第一下陷包层的半径为R3，单边径向厚度R3-R2为2.5～6.0μm，相对折射率差为Δ3为-0.6～-0.2％，所述的第二下陷包层的半径为R4，单边径向厚度R4-R3为6.0～10.0μm，相对折射率差为Δ4为-0.3～-0.2％；所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层；所述第一下陷包层和第二下陷包层的折射率剖面总面积积分为：
面积积分S3,4为-60×10-3～-25×10-3μm。
2.按权利要求1所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的第一下陷包层的单边径向厚度R3-R2为4.0～5.5μm，相对折射率差为Δ3为-0.5～-0.3％，所述的第二下陷包层的单边径向厚度R4-R3为7.0～9.0μm，相对折射率差为Δ4为-0.28～-0.22％。
3.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述光纤的数值孔径为0.185～0.215。
4.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于所述的多模光纤由管内法制备而成，所述的第二下陷包层由掺氟衬管构成。
5.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.2dB，在1300nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.5dB。
6.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长具有1500MHz-km或1500MHz-km以上带宽，在1300nm波长具有500MHz-km或500MHz-km以上带宽。
7.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤的差分模时延满足以下标准：DMD Inner Mask(5-18μm)和DMD Outer Mask(0-23μm)均小于或等于0.33ps/m；DMDInterval Mask小于或等于0.25ps/m。
8.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长具有2000MHz-km或2000MHz-km以上的有效模式带宽。
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