[发明专利]热传感器及其操作方法在审
| 申请号： | 201610171935.5 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105784158A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 隋彧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 操作方法 | ||
1.一种热传感器，包括：
比较器，具有第一输入节点和第二输入节点；
参考电压发生器，与所述比较器的所述第一输入节点电连接，所述参 考电压发生器被配置为提供基本上独立于温度的参考电压；以及
与绝对温度互补CTAT感测电路，与所述比较器的所述第二输入节点 电连接，所述CTAT感测电路被配置为提供依赖于温度的电压，其中，所 述CTAT感测电路包括：
电流反射镜；
第一金属氧化物半导体MOS晶体管，电连接在所述电流反射镜与 地之间，其中，第一节点在所述第一MOS晶体管与所述电流反射镜之 间；
第一电阻器，与所述电流反射镜电连接，其中，第二节点在所述 第一电阻器与所述电流反射镜之间；以及
第二MOS晶体管，与所述第一电阻器串联电连接，其中，所述第 二MOS晶体管和所述第一电阻器以并联的方式与所述第一MOS晶体 管电连接，并且所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管在所述 热传感器的感测操作期间在子阈域中进行操作；
其中，所述参考电压发生器包括：
电流反射镜；
第六金属氧化物半导体MOS晶体管，电连接在所述参考电压发生 器的电流反射镜与地之间，其中，第五节点在所述第六MOS晶体管与 所述电流反射镜之间；
第五电阻器，与所述参考电压发生器的电流反射镜电连接，其中， 第六节点在所述第五电阻器与所述参考电压发生器的电流反射镜之 间；以及
第七MOS晶体管，与所述第五电阻器串联电连接，其中，所述第 七MOS晶体管和所述第五电阻器以并联的方式与所述第六MOS晶体 管电连接；
第八MOS晶体管，与电源电压电连接，其中，所述第八MOS晶 体管的栅极与所述参考电压发生器的电流反射镜电连接；
第六电阻器，与所述第八MOS晶体管串联电连接，其中，所述第 八MOS晶体管和所述第六电阻器之间的第七节点与所述比较器的所 述第一输入节点电连接；
所述热传感器还还包括：
第三MOS晶体管，与电源电压电连接；
第四MOS晶体管，与所述第三MOS晶体管串联电连接；
第二电阻器，电连接在所述第一节点与所述第三晶体管和所述第四晶 体管之间的第三节点之间；以及
第三电阻器，电连接在所述第三节点和所述第二节点之间。
2.根据权利要求1所述的热传感器，其中，所述第一节点与所述比较 器的所述第二输入节点电连接。
3.根据权利要求2所述的热传感器，其中，所述第四MOS晶体管在 所述热传感器的感测操作期间在子阈域中进行操作。
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