[发明专利]一种耐高温抗烧蚀TiB2-MoSi2复合涂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610172113.9 申请日: 2016-03-24
公开(公告)号: CN105695917A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 黄利平;牛亚然;郑学斌 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C23C4/10 分类号: C23C4/10;C23C4/134
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 抗烧蚀 tib sub mosi 复合 涂层 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高温抗烧蚀TiB2-MoSi2复合涂层,其特征在于,所述TiB2-MoSi2复合涂层由主相TiB2和第二相MoSi2组成,所述第二相MoSi2体积含量为涂层总体积含量10~50vol.%。

2.根据权利要求1所述耐高温抗烧蚀的TiB2-MoSi2复合涂层,其特征在于,所述TiB2-MoSi2复合涂层的厚度为40~200μm。

3.一种如权利要求1或2所述耐高温抗烧蚀TiB2-MoSi2复合涂层的制备方法,其特征在于,包括:

按照TiB2-MoSi2复合涂层的组成,分别称取TiB2粉体和MoSi2粉体,混合均匀并干燥后,得到原料粉体;

采用真空等离子体喷涂工艺,将原料粉体喷涂到预处理后的基体表面上,得到所述TiB2-MoSi2复合涂层。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述TiB2粉体的粒径为5~80μm。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,所述MoSi2粉体的粒径为5~80μm。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述真空等离子体喷涂工艺的参数包括:等离子体气体Ar流量为25~45slpm,等离子体气体H2流量为2~20slpm,粉末载气Ar流量为2~10slpm,喷涂距离为130~380mm,喷涂电流为350~750A,喷涂电压为40~75V,送粉速率为5~35g/分钟,真空室压力为50~800mbar。

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