[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底的第一表面依次形成N型层、发光层、P型层，形成外延层；

在所述P型层上形成从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；

在所述P型层上形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极；

对所述衬底进行减薄；

在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

对所述DBR、所述衬底、以及所述外延层进行切割和分裂，得到相互独立的LED芯片；

在所述DBR上形成Ag金属反射层，并将所述Ag金属反射层沿所述LED芯片之间的分割线撕裂，通过胶膜去除所述LED芯片之间的分割线上的Ag金属反射层；

在所述Ag金属反射层上沉积金属保护层，并通过扩膜动作将所述金属保护层沿所述LED芯片之间的分割线断开，所述金属保护层和所述DBR形成密封空间，所述Ag金属反射层位于所述密封空间内。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属保护层为TiW层、交替形成的Ti层和Pt层、或者TiN层。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂。

4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述DBR上形成Ag金属反射层，包括：

在所述DBR上形成粘附层；

在所述粘附层上形成Ag金属反射层。