[发明专利]一种微电路模块壳体与盖板的钎焊密封封盖方法及结构有效
申请号: | 201610172495.5 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105689833B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 杨伟;吴诗晗;周志勇 | 申请(专利权)人: | 株洲天微技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K1/00;B23K101/36 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 吴志勇 |
地址: | 412007 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 模块 壳体 盖板 钎焊 密封 方法 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种密封封盖方法,尤其涉及一种微电路模块的钎焊密封封盖方法,属于电子封装技术领域。
背景技术
随着电子行业的发展,微电路模块在各个领域的广泛运用。由于微电路模块腔体内装配有大量的裸芯片,且其装配焊料熔点较低,为了面对各种不同环境而能长久的保证其性能就必须进行密封封装。
现有的微电路模块密封方法中,钎焊密封方法适用于金属壳体的密封,操作简单,成本低廉,封盖设备要求不高,密封性能良好,返修开盖容易,是一种广泛运用的可靠高的封盖方法。但是该方法有其本身的缺陷,由于采用较低熔点的焊料进行封盖,在封盖过程中,焊锡和焊剂会溅射到壳体腔内,对腔内的裸芯片造成污染,从而影响微电子组件的电性能,降低其使用寿命。
通过国内检索发现以下专利与本发明有相似之处:
申请号为200410056061.6,名称为“半导体部件的钎焊方法及半导体部件的安装构造”的发明提供一种半导体部件的钎焊方法及半导体部件的安装构造,将在里面及侧面形成有金属端子(2)的半导体部件(1)按照仅该金属端子(2)的里面部与膏状钎焊料(3)接触的方式搭载,通过向金属端子(2)的侧面部照射激光,利用从金属端子(2)的侧面部向里面部的热传导,对金属端子(2)的里面部加热,从而将与该金属端子(2)的里面部接触的膏状钎焊料(3)熔融而进行钎焊。由此,在将耐热保证温度低而不能穿过回流炉的半导体部件高密度安装在电路基板上的情况下,即使在小到只能在半导体部件的里侧部分上印刷焊料的程度的连接盘上,也可以可靠地对半导体部件进行钎焊。
申请号为200720041564.5,名称为“具有可拆卸气密封装机构的异形微电路盒”的实用新型涉及适用于金属腔体、有气密及反复开盖要求的异形微电路盒,即具有可拆卸气密封装机构的异形微电路盒。结构特点是盖板为周边具有凸缘的冠状,所述盖板周边凸缘的横截面为阶梯状;所述阶梯的高度为0.2-0.5毫米,宽度为0.2-0.5毫米。使用本实用新型倒扣式气密封装结构的异形微电路盒,进行反复封焊与开盖(3次以上),经氦质谱检漏检查,漏气速率小于5×10-3Pa·cm3/s,满足军标要求(小于1×10-2Pa·cm3/s)。本实用新型适用于尺寸大于10mm×10mm而小于100mm×100mm的异型微组装组件的气密封装。
以上专利虽然都涉及到钎焊密封的技术方案,尤其是申请号为200720041564.5的实用新型中也是用钎焊来密封电路盒,电路盒上盖板周边凸缘的横截面也为阶梯状,且也用到了氦质谱检漏检查。但其结构中没有设Y形坡口,是直接采用倒扣的形式进行钎焊密封。该方法盖板加工困难,且该方法中没有电镀、涂硅胶等工艺,结构上没有Y形坡口和中心通孔,还需进一步改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对微电路模块在对盖板和壳体焊接封盖的过程中,焊锡和焊剂容易溅射或流淌到壳体的腔体内,对腔内的裸芯片造成污染,而提出一种能在密封时防止焊锡及焊剂到壳体的空腔内。
针以上述问题,本发明提出的技术方案是:一种微电路模块壳体与盖板的钎焊密封封盖方法,在壳体顶部开用于密封盖板和壳体的Y形坡口,在盖板上铣出一个贯通盖板的中心通孔,包括以下步骤:
A.电镀:钎焊前,先对壳体和盖板上除了壳体顶部和盖板边缘的其它位置进行电镀;
B.涂硅胶并固化:用硅胶均匀涂抹壳体台阶,再将盖板装配在壳体台阶上等待硅胶固化;
C.预热:将壳体放置在热台上进行预热;
D.钎焊:将壳体和盖板放置在热台上进行钎焊;
E.抽真空与烘焙:将焊接好的壳体和盖板放入手套箱中抽真空,再充入高纯惰性气体,并对壳体和盖板进行烘焙;
F.封口:用电烙铁和焊锡丝对盖板上的中心通孔进行封口;
G.漏点检测:用氦气质谱仪对产品进行漏点检测;
H.返工:对漏点检测和电性能不合格的产品进行返工;
I.喷漆:对合格产品的壳体(2)和盖板(1)的外表面喷涂三防漆。
进一步地,步骤B中所述的涂硅胶并固化是采用耐温100℃-130℃的硅胶,用刷子将壳体台阶涂抹均匀,然后把盖板装配在壳体台阶上,并按压盖板,等待硅胶固化。
进一步地,步骤C中所述的将壳体放置在热台上进行预热,是将热台温度调至100℃对壳体进行预热,预热时间为3-5分钟。
进一步地,步骤D中所述的钎焊是将铟锡焊料装入壳体与盖板的间隙内,放置在100℃-130℃热台上,并用电烙铁对焊料局部加热,确保焊料熔化填满间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造