[发明专利]暴露{111}晶面Cu2Se/Cu2O超晶格亚微米线的制备方法

权利要求书

1.一种暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的制备方法，其特征在于： 以乙醇胺与蒸馏水的体积比为4:1的混合液为溶剂，将Se粉和KBH₄按摩尔比为 1:1～1.5混合均匀，再加入处理好的铜片，110～200℃水热反应12～24小时，然 后将反应产物在惰性气体保护下330～380℃煅烧1～3小时，自然冷却至室温，在 铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线。

2.根据权利要求1所述的暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的制备 方法，其特征在于：以乙醇胺与蒸馏水的体积比为4:1的混合液为溶剂，将Se粉 和KBH₄按摩尔比为1:1～1.5混合均匀，再加入处理好的铜片，120～160℃水热反 应12～24小时，然后将反应产物在惰性气体保护下330～380℃煅烧1～3小时，自 然冷却至室温，在铜片表面制备成暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线。

3.根据权利要求1所述的暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的制备 方法，其特征在于：以乙醇胺与蒸馏水的体积比为4:1的混合液为溶剂，将Se粉 和KBH₄按摩尔比为1:1混合均匀，再加入处理好的铜片，120℃水热反应24小时， 然后将反应产物在惰性气体保护下350℃煅烧2小时，自然冷却至室温，在铜片表 面制备成暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微 米线的制备方法，其特征在于：所述暴露{111}晶面Cu₂Se/Cu₂O超晶格亚微米线的 直径为0.23～2.14μm、长度17～420μm。