[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

基底(201)；

振膜(203)，位于所述基底(201)的上方，所述振膜(203)包括石墨烯层；

背板(205)，位于所述振膜(203)的上方；

空腔，位于所述振膜(105)和所述背板(103)之间。

2.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述石墨烯层中掺杂有Au、Ag、Cu、Ni、P、In和Ga中的一种或多种。

3.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底中形成有背腔，露出部分所述振膜。

4.根据权利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述背板(205)中形成有若干开口。

5.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底(201)，在所述基底上形成有图案化的振膜(203)，所述振膜(203)包括石墨烯层；

在所述基底(201)和所述振膜(203)上形成具有开口的牺牲层，所述开口露出所述振膜(203)；

在所述牺牲层上形成背板(205)，以覆盖所述牺牲层和所述开口，并在所述振膜(105)和所述背板(103)之间形成空腔。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层中掺杂有Au、Ag、Cu、Ni、P、In和Ga中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：

在所述基底(201)和所述振膜(203)上形成牺牲层；

图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层的中间部位形成开口，露出所述振膜(203)。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述背板(205)的步骤包括：

将所述牺牲层与背板晶圆接合，以覆盖所述牺牲层和所述开口，并在所述振膜(105)和所述背板(103)之间形成空腔；

薄化所述背板晶圆，以减小所述背板晶圆的厚度；

在所述背板晶圆上形成钝化层，以覆盖所述背板晶圆；

图案化所述钝化层，以形成第一开口，露出部分所述背板晶圆；

图案化所述背板晶圆，以在所述背板晶圆中形成若干相互间隔的第二开口。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括图案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔，露出部分所述振膜。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至4之一所述的MEMS器件。