[发明专利]一种基于高稳定性能够自发电的交通摄像装置在审
申请号: | 201610172871.0 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105702868A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 吴桂广 | 申请(专利权)人: | 吴桂广 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 赵永强 |
地址: | 315200 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 稳定性 能够 发电 交通 摄像 装置 | ||
1.一种基于高稳定性能够自发电的交通摄像装置,其特征在于,所述交通 摄像装置外表面安装有聚合物太阳能电池,该聚合物太阳能电池的ITO玻璃一 面朝外侧组装,并且与交通摄像装置通过导线连接;所述聚合物太阳能电池为 三明治结构,由阳极电极、有机活性层、阴极电极组成;所述阳极电极由外到 内依次为ITO玻璃、WOX薄膜、WOX纳米线薄膜、PEDOT:PSS缓冲层,其中, WOX纳米线薄膜生长于WOX薄膜之上,PEDOT:PSS缓冲层填充于纳米线结构 之间,并且纳米线长度大于PEDOT:PSS缓冲层厚度;所述有机活性层位于阳极 电极和阴极电极之间,有机活性层厚度为500nm;所述阴极电极由外到内依次 为Ti片、Al膜、TiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的交通摄像装置,其特征在于,所述聚合物太阳能 电池模块的制备方法如下:
步骤一,清洗ITO基底:取购买的商用ITO玻璃,其对可见光的透射率达 到85%以上,将其裁剪成预定尺寸;用浸湿丙酮的超净布擦拭干净,然后经过 丙酮、乙醇、去离子水的超声清洗,每步清洗时间均为1h,清洗过后放入真空 烘箱中干燥;将洗净并干燥好的ITO基底放入臭氧清洗机中,臭氧清洗30min;
步骤二,制备WOX薄膜及WOX纳米线薄膜:将清洗后的ITO基底放入磁 控溅射仪中,抽真空至本底真空为5×10﹣4pa以下,设定Ar、O2流量为20sccm、 2sccm,待气体稳定后,磁控溅射W膜,溅射功率为320W,厚度为100nm; 将磁控溅射后的ITO基底放入管式炉中,在380℃下热氧化生长WOX纳米线, 保温时间为1h,如此在WOX薄膜表面得到WOX纳米线薄膜;
步骤三,旋涂PEDOT:PSS缓冲层:从冰箱取出PEDOT:PSS溶液自然解冻 至室温,在ITO基底上滴定PEDOT:PSS溶液,使其覆盖ITO基底表面,然后将 基底放在匀胶机上,设定转速为2800r/min,旋涂时间为55s,PEDOT:PSS缓 冲层厚度为40nm,然后将其放入真空烘箱中120℃烘烤10min,使PEDOT:PSS 缓冲层凝固;
步骤四,制备有机活性层:本方案有机活性层采用PCDTBT/PC71BM,称 取PCDTBT:PC71BM质量比为1:4,以氯苯为溶剂,配制溶液,其中PCDTBT 的浓度为5mg/ml,将溶液在65℃水浴中加热并搅拌,以充分溶解;随后将配制 好的有机活性层滴定到ITO基底上,并放于在匀胶机上,旋涂转速为900r/min, 旋涂时间为38s,即可得到有机活性层;
步骤五,组装阴极电极:
1)阴极电极采用重量轻,柔性好的Ti片,裁剪Ti片,使其与ITO基底尺 寸相同,Ti片厚度为0.1mm,将其浸渍在0.1M的HCl溶液中,时间为2.5h, 然后用水和乙醇清洗,然后利用磁控溅射方法在其表面蒸镀一层Al膜,溅射功 率为300W,工作气压为1.0Pa,溅射Al膜厚度为100nm;
2)取50mL钛酸丁酯(Ti(OC4H9)4)和6mL氢氟酸(HF,浓度为40%)加入 到200mL的聚四氟乙稀水热斧中,室温下搅拌均匀后,在170℃下水热12小 时。其中,钛与氟的摩尔比为1,水热反应完成后,将所得的TiO2沉淀溶于300 mL乙醇溶液中,搅拌均匀,将ITO基底的有机活性层一端浸入溶有TiO2乙醇 溶液中,然后在匀胶机上300r/min下旋转12s,得到一层10nm左右的TiO2薄 膜,然后放入真空烘箱60℃烘烤2min;
3)将阴极电极Ti片覆盖在ITO基底上,使得阴极电极Al膜一端与ITO基 底上有机活性层一端接触,
步骤六,引线及封装:将导线连接到ITO电极与阴极电极,并用环氧树脂 对器件进行封装,放入固化炉中70℃下处理25min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择