[发明专利]一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201610176182.7 申请日: 2016-03-24
公开(公告)号: CN105741779B 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 张盛东;王翠翠 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 代理人: 郭燕,彭家恩
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 晶体管 像素 电路 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种基于双栅晶体管的像素电路,其特征在于,包括:

发光器件OLED,所述发光器件OLED的阳极连接于一内部节点B,发光器件OLED的阴极连接于一低电平线VSS

驱动晶体管T1,所述驱动晶体管T1为双栅晶体管,用于驱动所述发光器件OLED发光;所述驱动晶体管T1的底栅极连接于一内部节点A,驱动晶体管T1的顶栅极连接于一内部节点C,驱动晶体管T1的源极连接于所述内部节点B;

开关晶体管T2,所述开关晶体管T2的栅极连接于阈值提取控制线VCOM,所述开关晶体管T2的漏极连接于驱动晶体管T1的漏极,开关晶体管T2的源极连接于所述内部节点C;

开关晶体管T3,所述开关晶体管T3的栅极连接于扫描控制线VSCAN,开关晶体管T3的漏极连接于数据显示线VDATA,开关晶体管T3的源极连接于所述内部节点A;

开关晶体管T4,所述开关晶体管T4的栅极连接于所述扫描控制线VSCAN,开关晶体管T4的漏极连接于一固定电平线VER,开关晶体管T4的源极连接于所述内部节点B;

开关晶体管T5,所述开关晶体管T5的栅极连接于发光控制线VEM,开关晶体管T5的漏极连接于高电平线VDD,开关晶体管T5的源极连接于驱动晶体管T1的漏极;

电容C1,其连接于所述内部节点A和B之间;

电容C2,其连接于所述内部节点B和C之间。

2.如权利要求1所述的基于双栅晶体管的像素电路,其特征在于,所述开关晶体管T2~T5都为单栅晶体管;或者,所述开关晶体管T2~T5中至少一个开关晶体管为双栅晶体管,当其中某一开关晶体管为双栅晶体管时,此开关晶体管的顶栅极与底栅极被连接在一起作为栅极使用。

3.如权利要求1或2所述的基于双栅晶体管的像素电路,其特征在于,所述扫描控制线VSCAN、阈值提取控制线VCOM、发光控制线VEM、数据显示线VDATA和固定电平线VER上的信号被配置如下:所述像素电路依次进入初始化阶段、阈值电压提取阶段、数据写入阶段和发光阶段;在所述初始化阶段中,扫描控制线VSCAN、阈值提取控制线VCOM和发光控制线VEM都为高电平;在所述阈值电压提取阶段,扫描控制线VSCAN和阈值提取控制线VCOM为高电平,发光控制线VEM为低电平;在所述数据写入阶段,扫描控制线VSCAN为高电平,阈值提取控制线VCOM和发光控制线VEM都为低电平;在所述发光阶段,扫描控制线VSCAN和阈值提取控制线VCOM为低电平,发光控制线VEM为高电平;其中,固定电平线VER上为一恒定电压,其为零电平、负电平或者一小于所述发光器件OLED的阈值电压的某一电平;所述数据显示线VDATA在初始化阶段和阈值电压提取阶段均为一恒定的电压VREF,在数据写入阶段为一包含显示数据的电压VDATA

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