[发明专利]3D显示面板及3D显示装置有效
申请号: | 201610176216.2 | 申请日: | 2016-03-24 |
公开(公告)号: | CN105742331B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 周凯锋 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种3D显示面板,其特征在于,所述3D显示面板包括:基板及设置在所述基板上呈矩阵分布的多个像素单元,每个像素单元包括至少一个子像素,每个子像素包括第一次像素及第二次像素,所述3D显示面板还包括设置在所述基板同侧的且对应所述第一次像素的第一发光单元及对应所述第二次像素的第二发光单元,所述第一发光单元由第一薄膜晶体管控制,所述第二发光单元由第二薄膜晶体管控制,所述第一发光单元包括设置在所述基板同侧且依次层叠的第一阳极、第一空穴传输层、第一定向层、第一发光层、第一电子传输层及第一阴极,所述第一阳极用于提供第一空穴,所述第一空穴传输层用于将所述第一空穴传输至所述第一发光层,所述第一定向层用于为所述第一发光层配向,以使所述第一发光层为第一取向态,所述第一阴极用于提供第一电子,所述第一电子传输层用于将所述第一电子传输至所述第一发光层,所述第一电子及所述第一空穴在所述第一发光层内复合以发出第一偏振光,所述第二发光单元包括设置在所述基板同侧且依次层叠的第二阳极、第二空穴传输层、第二定向层、第二发光层、第二电子传输层及第二阴极,所述第二阳极用于提供第二空穴,所述第二空穴传输层用于将所述第二空穴传输至所述第二发光层,所述第二定向层用于为所述第二发光层配向,以使所述第二发光层为第二取向态,所述第二阴极用于提供第二电子,所述第二电子传输层用于将所述第二电子传输至所述第二发光层,所述第二电子及所述第二空穴在所述第二发光层内复合以发出第二偏振光,其中,所述第一偏振光的偏振态与所述第二偏振光的偏振态正交。
2.如权利要求1所述的3D显示面板,其特征在于,所述第一发光单元及所述第二发光单元满足以下条件中的至少一条:
所述第一阳极与所述第二阳极同层设置;
所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层同层设置;
所述第一定向层与所述第二定向层同层设置;
所述第一发光层与所述第二发光层同层设置;
所述第一电子传输层与所述第二电子传输层同层设置;
所述第一阴极与所述第二阴极同层设置。
3.如权利要求2所述的3D显示面板,其特征在于,所述第一发光单元及所述第二发光单元满足以下条件中的至少一条:
当所述第一阳极与所述第二阳极同层设置时,所述第一阳极与所述第二阳极为一体结构;
当所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层同层设置时,所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层为一体结构;
当所述第一定向层与所述第二定向层同层设置时,所述第一定向层与所述第二定向层为一体结构;
当所述第一发光层与所述第二发光层同层设置时,所述第一发光层与所述第二发光层为一体结构;
当所述第一电子传输层与所述第二电子传输层同层设置时,所述第一电子传输层与所述第二电子传输层为同层设置;
当所述第一阴极与所述第二阴极同层设置时,所述第一阴极与所述第二阴极为一体结构。
4.如权利要求1所述的3D显示面板,其特征在于,所述基板设置在所述第一阳极远离所述第一空穴传输层的表面,且设置在第二阳极远离所述第二空穴传输层的表面。
5.如权利要求4所述的3D显示面板,其特征在于,所述第一阳极及所述第二阳极均为透明电极,所述第一阴极及所述第二阴极均为金属电极,所述第一偏振光及所述第二偏振光经由所述基板远离所述第一阳极及所述第二阳极的表面出射。
6.如权利要求1所述的3D显示面板,其特征在于,所述基板设置在所述第一阴极远离所述第一电子传输层的表面,且设置在第二阴极远离所述第二电子传输层的表面。
7.如权利要求6所述的3D显示面板,其特征在于,所述第一阴极及所述第二阴极均为透明电极,所述第一阳极及所述第二阳极均为金属电极,所述第一偏振光及所述第二偏振光经由所述基板远离所述第一阴极及所述第二阴极的表面出射。
8.如权利要求1所述的3D显示面板,其特征在于,所述第一发光层及所述第二发光层均包括有机液晶聚合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的