[发明专利]低电容低电压半导体过压保护器件

权利要求书

1.一种低电容低电压半导体过压保护器件，芯片层包括N型衬底、在N型衬底上方和下方对称扩散有P2基区和N型区以及发射极N型掺杂区，其特征在于，在发射极N型掺杂区与P2基区扩散有P1基区，所述P1基区和P2基区为P型变掺杂基区。

2.根据权利要求1所述的低电容低电压半导体过压保护器件，其特征在于，所述P1基区为高浓度P型掺杂基区，所述P2基区为低浓度P型掺杂基区。

3.根据权利要求1所述的低电容低电压半导体过压保护器件，其特征在于，芯片层表面为金属化电极区。

4.根据权利要求3所述的低电容低电压半导体过压保护器件，其特征在于，所述金属化电极区包括四层，分别为铝、钛、镍和银。

5.一种低电容低电压半导体过压保护器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：在晶圆表面扩散形成双面P1基区，所述P1基区为高浓度P型杂质区域；

S02：扩散形成P2基区与P1基区重叠，所述P2基区为低浓度P型杂质区域；

S03：N1磷区扩散，与P1基区形成低击穿的PN结，并同时形成发射极N型掺杂。

6.根据权利要求5所述的低电容低电压半导体过压保护器件的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S11：晶圆表面一次氧化，形成场氧阻挡层：炉温1100℃、氧气4L/min、氢气5L/min，形成的目标氧化层厚度为1.5μm±10%；

S12：扩散形成P1基区：在炉温1000℃、氧气2L/min、氮气3L/min下进行硼源淀积，淀积时间为30min；在炉温1200℃、氧气2L/min、氮气3L/min下进行硼源推进，推进时间为200min，使用四探针测试扩散方块电阻为15Ω±10%，结深为23μm±10%；

S13：扩散形成P2基区：在炉温950℃、氧气2L/min、氮气3L/min下进行硼源淀积，淀积时间为18min；在炉温1200℃、氧气2L/min、氮气3L/min下进行硼源推进，推进时间为500min，使用四探针测试扩散方块电阻为50Ω±10%，结深20μm±10%；

S14：N1磷区扩散：在炉温1050℃、氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1L/min下进行磷源淀积，淀积时间为18min；在炉温1100℃、氧气2L/min、氮气3L/min下进行磷源推进，推进时间为260min，使用四探针测试扩散方块电阻为1Ω±10%，结深10μm±10%；

S15：淀积金属化层：通过离子束金属化蒸发台工艺淀积金属化层。

7.根据权利要求6所述的低电容低电压半导体过压保护器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S15的金属化层为四层，依次分别为铝1μm、钛0.3μm、镍0.7μm、银0.5μm。