[发明专利]氮化镓晶体管器件的制备方法在审
| 申请号： | 201610176587.0 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230618A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L21/324;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 孙明子,黄健 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 器件 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：
制备所述氮化镓晶体管器件的源极、漏极和栅极；
对所述栅极进行热退火处理，以在栅极产生表面施主态。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述栅极进行热退火处理，包括：
采用300℃/2min的热退火工艺对所述栅极进行热退火处理。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备所述氮化镓晶体管器件的源极、漏极，包括：
在氮化镓外延基底的表面沉积氧化层；
刻蚀所述氧化层，分别形成源极接触孔和漏极接触孔；
在所述源极接触孔内、所述漏极接触孔内，以及器件表面上沉积第一金属层；
对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成源极和漏极。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在硅衬底层表面上依次生长氮化镓层和氮化镓铝层，形成所述氮化镓外延基底。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述制备所述氮化镓晶体管器件的栅极，包括：
刻蚀所述氧化层，以及部分所述氮化镓铝层，形成栅极接触孔；
在所述栅极接触孔内，以及器件表面上，沉积第二金属层；
对所述第二金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极。
6.根据权利要5所述的方法，其特征在于，所述氮化镓铝层被刻蚀的深度超过所述氮化镓铝层厚度的一半。
7.根据权利要2至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化层为SiO2层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
