[发明专利]TFT及制作方法、阵列基板、显示面板及驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201610177105.3 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105573000B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 张斌;董殿正;张衎;陈鹏名 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft 制作方法 阵列 显示 面板 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管TFT,其特征在于,包括衬底基板,在衬底基板上依次层叠设有第一栅极、底层栅极介电层和绝缘层,在所述绝缘层上设有源极和漏极,在所述源极、所述漏极和所述绝缘层上依次层叠设有顶层栅极介电层、第二栅极和钝化层;所述第一栅极或所述第二栅极为光敏材料栅极。
2.根据权利要求1所述的TFT,其特征在于,所述绝缘层为非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的TFT,其特征在于,所述钝化层为凸面透明材料层。
4.一种薄膜晶体管TFT的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一栅极层,通过构图工艺在所述第一栅极层形成包括第一栅极的图形;
在所述衬底基板和所述第一栅极上依次形成底层栅极介电层和绝缘层;
在所述绝缘层上形成源/漏极层,通过构图工艺在所述源/漏极层形成包括源极和漏极的图形;
在所述绝缘层、所述源极和所述漏极上形成顶层栅极介电层;
在所述顶层栅极介电层上形成第二栅极层,通过构图工艺在所述第二栅极层形成包括第二栅极的图形,其中,所述第一栅极层或所述第二栅极层为光敏材料层;
在所述顶层栅极介电层和所述第二栅极上形成钝化层。
5.根据权利要求4所述的TFT的制作方法,其特征在于,所述绝缘层为非晶硅层。
6.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-3中任意一项所述的薄膜晶体管TFT。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-3中任意一项所述的薄膜晶体管TFT。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板中的TFT均为权利要求1-3中任意一项所述的薄膜晶体管TFT,所述TFT用于根据光敏材料栅极接收到的环境光的光照强度和非光敏材料栅极接收到的第一输出信号,调整通过所述TFT的电流信号。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和测试区;所述测试区包括权利要求1-3中任意一项所述的TFT和与所述TFT连接的电压控制模块;其中,
所述TFT用于根据接收到的环境光的光照强度和所述电压控制模块的第二输出信号,调整通过所述TFT的电流信号;
所述电压控制模块用于根据通过所述TFT的电流信号,调整所述电压控制模块的第二输出信号。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述电压控制模块包括电流/电压转换单元、处理单元和电源管理单元;其中,
所述电流/电压转换单元与所述TFT连接,用于将通过所述TFT的电流信号转化为电压信号;
所述处理单元与所述电流/电压单元连接,用于根据所述电流/电压转换模块转化输出的电压信号,输出调整信号,所述调整信号用于控制所述电源管理单元调整向所述TFT输出的第二输出信号;
所述电源管理单元分别与所述处理单元和所述TFT连接,用于根据所述处理单元输出的所述调整信号,调整向所述TFT输出的第二输出信号。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述TFT的所述第一栅极为光敏材料栅极,所述第二栅极与所述电源管理单元连接,所述TFT的第一极与数据信号端连接,所述TFT的第二级与所述电流/电压转换单元连接;所述第一极和第二极中一个为源极,另一个为漏极;
或者,所述TFT的所述第二栅极为光敏材料栅极,所述第一栅极与所述电源管理单元连接,所述TFT的第一极与数据信号端连接,所述TFT的第二级与所述电流/电压转换单元连接;所述第一极和第二极中一个为源极,另一个为漏极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610177105.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。