[发明专利]一种钨钛酸铋铁电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610177743.5 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870123B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 高锋;张继豪;吴艳;韦悦周 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广西南宁公平知识产权代理有限公司 45104 | 代理人： | 覃现凯 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 酸铋 钨钛 制备 薄膜 铁电薄膜 前驱液 配制 非易失性铁电存储器 钛酸铋铁电薄膜 致密 薄膜制备过程 稀土元素掺杂 制备铁电薄膜 钛酸正四丁酯 二乙醇甲醚 规模化生产 抗疲劳性能 水合硝酸铋 薄膜材料 高温焙烧 工艺路线 厚度均匀 混合溶液 控制材料 剩余极化 铁电性能 稀土元素 乙酰丙酮 异丙醇钨 冰乙酸 光透性 前驱膜 前驱物 稳定剂 溶剂 涂覆 光滑 生产成本 应用 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
