[发明专利]氮化镓晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610178228.9 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230711A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/34;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：
硅衬底层；
氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层制作于所述硅衬底层表面；
氮化铝镓势垒层，所述氮化铝镓势垒层制作于所述氮化镓缓冲层表面；
氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层制作于所述氮化铝镓势垒层表面；
所述氮化硅钝化层上分别设置有源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极穿透所述氮化硅钝化层并延伸至所述氮化铝镓势垒层表面；
其中，所述栅极与所述氮化铝镓势垒层之间设置有用于和氧相关陷阱结合的金属薄层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述金属薄层为铝薄层。
3.根据权利要求2所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述铝薄层的厚度为28～32纳米。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述硅衬底层的厚度为200微米～600微米，所述氮化镓缓冲层的厚度为2微米～4微米，所述氮化铝镓势垒层的厚度为20纳米～30纳米，所述氮化硅钝化层的厚度为30纳米～40纳米。
5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述硅衬底层的厚度为200微米或600微米，所述氮化镓缓冲层的厚度为3微米，所述氮化铝镓势垒层的厚度为25纳米，所述氮化硅钝化层的厚度为35纳米。
6.一种氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底层上依次生长氮化镓缓冲层及氮化铝镓势垒层，其中所述氮化镓缓冲层位于所述硅衬底层及所述氮化铝镓势垒层之间；
在所述氮化铝镓势垒层上淀积氮化硅钝化层；
刻蚀所述氮化硅钝化层至所述氮化铝镓势垒层表面，分别形成源极接触孔及漏极接触孔；
分别在所述源极接触孔及漏极接触孔中电子束蒸发源极金属及漏极金属，形成源极及漏极；
刻蚀所述氮化硅钝化层至所述氮化铝镓势垒层表面，形成栅极接触孔；
穿过所述栅极接触孔在所述氮化铝镓势垒层表面淀积用于和氧相关陷阱结合的金属薄层；
在所述栅极接触孔中电子束蒸发栅极金属，形成栅极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属薄层为铝薄层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述铝薄层的厚度为28～32纳米。
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