[发明专利]氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管

权利要求书

1.一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

在氮化镓基底上形成钝化层；

在所述钝化层中形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极的底部接触所述氮化镓基底，所述欧姆接触电极包括自下而上依次形成的Ti层、AlSi层和Mo层；

在所述钝化层中和所述氮化镓基底中形成栅极，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中。

2.根据权利要求1所述的氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述钝化层中形成欧姆接触电极包括：

在所述钝化层中形成欧姆接触孔，露出所述氮化镓基底；

在所述钝化层上和所述欧姆接触孔中依次沉积Ti材料层、AlSi材料层和Mo材料层；

对所述Ti材料层、AlSi材料层和Mo材料层进行光刻，形成所述欧姆接触电极，所述欧姆电极的顶部高于所述钝化层。

3.根据权利要求1所述的氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述钝化层中形成欧姆接触孔之后，且在所述钝化层上和所述欧姆接触孔中依次沉积Ti材料层、AlSi材料层和Mo材料层之前，还包括：

采用氢氟酸液体、氨水和盐酸的混合液体对所述欧姆接触孔进行表面处理。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述钝化层中和所述氮化镓基底中形成栅极包括：

在所述氮化镓基底和所述钝化层中形成栅极孔；

在所述栅极孔中形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成栅极金属。

5.根据权利要求4所述的氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述氮化镓基底和所述钝化层中形成栅极孔之后，且在所述栅极孔中形成栅介质层之前，还包括：

采用盐酸清洗所述栅极孔。

6.一种氮化镓场效应晶体管，其特征在于，包括：

氮化镓基底；

钝化层，形成在所述氮化镓基底上；

欧姆接触电极，形成于所述钝化层中，所述欧姆接触电极的底部接触所述氮化镓基底，所述欧姆接触电极包括自下而上依次形成的Ti层、AlSi层和Mo层；

栅极，形成于所述钝化层中，所述栅极的底部位于所述氮化镓基底中。

7.根据权利要求6所述的氮化镓场效应晶体管，其特征在于，所述栅极包括自下而上依次形成的栅介质层和栅极金属。

8.根据权利要求7所述的氮化镓场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料为Si₃N₄，所述栅极金属的材料包括自下而上依次形成的Ni层和Au层。

9.根据权利要求6所述的氮化镓场效应晶体管，其特征在于，所述氮化镓基底包括自下而上依次形成的Si衬底、GaN层和AlGaN层。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的氮化镓场效应晶体管，其特征在于，所述钝化层的材料为Si₃N₄。