[发明专利]氮化镓晶体管和氮化镓晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610178251.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230700A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓晶体管，其特征在于，包括：
硅衬底；
在所述硅衬底上依次形成的氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层和保护层；
在所述保护层中和所述保护层上形成的源极层；
在所述保护层中和所述保护层上形成的漏极层；
在所述铝镓氮势垒层和所述保护层中以及所述保护层上形成的栅极层；
其中，所述保护层包括：形成在所述铝镓氮势垒层上的氮化铝层和形成在所述氮化铝层上的氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述铝镓氮势垒层的厚度与所述氮化铝层的厚度相等，均为120埃-170埃。
3.根据权利要求2所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述铝镓氮势垒层的厚度以及所述氮化铝层的厚度均为120埃-170埃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源极层和所述漏极层材料相同，均包括：在所述铝镓氮势垒层上形成的第一钛层、在所述第一钛层上形成的铝层、在所述铝层上形成的第二钛层及在所述第二钛层上形成的氮化钛层。
5.根据权利要求4所述的氮化镓晶体管，其特征在于，所述第一钛层和第二钛层的厚度相等，均为150埃-250埃，所述铝层的厚度为1100埃-1300埃，所述氮化钛层的厚度为150埃-250埃。
6.一种氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上依次形成氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层和保护层，其中，所述保护层包括；形成在所述铝镓氮势垒层上的氮化铝层和形成在所述氮化铝层上的氮化硅层；
在所述保护层中以及所述保护层上形成源极层、漏极层和栅极层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积法形成所述铝镓氮势垒层，采用磁控溅射镀膜工艺在所述铝镓氮势垒层形成所述氮化铝层。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述铝镓氮势垒层的厚度与所述氮化铝层的厚度相等。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述铝镓氮势垒层的厚度以及所述氮化铝层的厚度均为120埃-170埃。
10.根据权利要求6-10任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述保护层中以及所述保护层上形成源极层、漏极层和栅极层包括：
刻蚀所述保护层，以形成源端接触孔和漏端接触孔；
在所述源端接触孔、所述漏端接触孔以及所述保护层上方形成形成欧姆金属层；
去除源端接触孔以及源端接触孔之间的保护层上方形成的部分欧姆金属层，以使得在所述源端接触孔中以及所述保护层上形成源极层，在所述漏端接触孔中以及所述保护层上形成漏极层；
刻蚀所述源极层和所述漏极层之间的保护层并刻蚀部分铝镓氮势垒层以形成栅极接触孔；
在所述栅极接触孔中以及所述保护层上形成栅极层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610178251.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性显示装置
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
