[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的氮化镓GaN层、位于所述GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；

所述介质层位于AlGaN层的表面上，所述栅极接触孔位于所述源极接触孔和所述漏极接触孔之间；所述源极和所述漏极分别包括填充所述源极接触孔和所述漏极接触孔的第一金属层，所述栅极包括填充所述栅极接触孔的第二金属层；

所述衬底开设有通孔，所述通孔中填充铜。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述通孔设置在所述栅极、所述源极和所述漏极下方。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述介质层为氮化硅Si₃N₄层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的器件，其特征在于，所述栅极接触孔的深度大于所述介质层的厚度。

5.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上自下向上依次形成氮化镓GaN层、氮化镓铝AlGaN层和介质层；

去除预设区域内的介质层，直至露出所述AlGaN层的表面，形成源极接触孔和漏极接触孔；

在器件表面沉积第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀，直至露出所述介质层的表面，形成源极和漏极；

对位于所述源极和所述漏极之间的部分介质层进行刻蚀，形成栅极接触孔；

在所述栅极接触孔内填充第二金属层，形成栅极；

在所述衬底的背面打孔，形成通孔，并在所述通孔中填充铜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对位于所述源极和所述漏极之间的部分介质层进行刻蚀，形成栅极接触孔，包括：

采用干法刻蚀，对位于所述源极和所述漏极之间的介质层和部分AlGaN层进行刻蚀，以暴露所述AlGaN层的表面，形成所述栅极接触孔。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在器件表面沉积第一金属层之前，还包括：

利用稀氟氢酸DHF、SC1、和SC2的混合物，对器件表面进行表面处理。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在器件表面沉积第一金属层，包括：

采用磁控溅射镀膜工艺，依次沉积第一钛Ti层、铝AL层、第二钛Ti层和氮化钛TiN层，其中，所述第一Ti层的厚度为200埃，所述AL层的厚度为1200埃，所述第二Ti层的厚度为200埃，所述TiN层的厚度为200埃。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述第一金属层进行刻蚀，直至露出所述介质层的表面，形成源极和漏极之后，还包括：

在840摄氏度的条件下，在氮气N₂氛围内退火30s。

10.根据权利要求5-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔内填充第二金属层，形成栅极，包括：

在所述栅极接触孔内依次沉积镍Ni层和金Au层，形成所述栅极。