[发明专利]基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器及制备方法有效
申请号: | 201610178421.2 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105655142B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 陆芹;宁静;王东;张进成;穆美珊;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01G11/30 | 分类号: | H01G11/30;H01G11/84;H01G11/86;H01G11/32;H01G11/24 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 田文英;王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 dsg ni oh sub dmg 对称 超级 电容器 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器包括正极,负极,电解质溶液和隔膜,正极采用3DSG/Ni(OH)2复合材料,负极采用3DMG/Ni(OH)2复合材料,电解质溶液采用氢氧化钾。本发明的制备方法包括正极3DSG/Ni(OH)2复合材料的制备,负极3DMG/Ni(OH)2复合材料的制备,电解质溶液氢氧化钾的配制和电容器的组装。本发明具有高循环效率,高Ni(OH)2利用率,高导电性,高电容量。可用于储能元件的制备。
技术领域
本发明属于电子技术领域,更进一步涉及电容器制备技术领域中的一种基于三维单孔石墨烯/氢氧化镍/三维多孔石墨烯3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明可用于储能元件的制备。
背景技术
超级电容具有循环寿命长,充放电时间短,温度特性好,免维护和绿色环保等特点。超级电容包括双电层型超级电容、赝电容型超级电容和非对称型超级电容,非对称性超级电容具有较高的电容量,几乎是具有相同碳电极的对称型双电层电容器容量的两倍。氢氧化镍具有高的理论电容量及低的造价,被广泛的应用于超级电容及电池等储能器件中。
三峡大学申请的专利“一种非对称超级电容器及其制备方法”(申请号201510057777.6,公布号CN 104795243A)中公开了一种非对称超级电容器及其制备方法。该电容器包括正极极片、负极极片、电解液、隔膜以及封装膜;正极极片为氢氧化镍,基底为泡沫镍或钛片,其特征是负极活性材料为镍铁层状双金属氢氧化物,基底为泡沫镍或钛片,电解液采用氢氧化钠、氢氧化钾、硫酸钠或硫酸钾溶液。该非对称超级电容器的制备方法,包括正极极片、负极极片的制备,电解液的配置以及电容器的组装。该非对称超级电容器虽然电压窗口较宽,比电容较高,制备方法简单易操作,成本低。但是,该方法仍然存在的不足之处是:其一,该电容器采用氢氧化镍作为正极极片,氢氧化镍单一作为电极时无法高效地进行电荷的传输反应,使在衬底接触电极时其电容大大降低;其二,该电容器采用单一的氢氧化镍作为正极极片,电循环效率不高。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术中存在的问题,提出一种以三维石墨烯、氢氧化镍为主要原料制备基于三维单孔石墨烯/氢氧化镍/三维多孔石墨烯 3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器的方法。
为实现上述目的,本发明的具体思路是:首先,制备三维单孔石墨烯/氢氧化镍3DSG/Ni(OH)2作为正极;然后,制备三维多孔石墨烯/氢氧化镍3DMG/Ni(OH)2作为负极;最后将正极和负极组装起来,充入电解质溶液氢氧化钾,正负极之间用隔膜隔开,制备得到基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器。
本发明的基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器包括正极,负极,电解质溶液和隔膜,正极采用3DSG/Ni(OH)2复合材料,负极采用3DMG/Ni(OH)2复合材料。
本发明制备3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器方法的具体步骤如下:
(1)基底预处理:
(1a)利用压平机将2片厚度为1.6mm的泡沫镍压薄,得到2片厚度为0.25mm 的泡沫镍薄片;
(1b)用乙醇、去离子水、5M HCl溶液分别清洗2片泡沫镍薄片后,再用去离子水分别将2片泡沫镍薄片清洗干净,将2片泡沫镍薄片分别作为正极基底泡沫镍薄片和负极基底泡沫镍薄片;
(2)制备负极基底骨架:
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